[发明专利]基于单元的参考电压生成

说明书

描述用于操作一或若干铁电存储器单元的方法、系统和装置。第一铁电存储器单元可被初始化为第一状态且第二铁电存储器单元可被初始化为不同状态。每一状态可具有对应数字线电压。所述第一和第二铁电存储器单元的数字线可连接，从而使得在所述两个数字线之间发生电荷共享。由所述两个数字线之间的所述电荷共享产生的电压可由其它组件用作参考电压。

交叉引用

本专利申请案主张让渡给本受让人的，由德默等人在2016年2月1日申请的标题为“基于单元的参考电压生成(Cell-Based Reference Voltage Generation)”的美国专利申请案第15/012,566号的优先权。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置，且更具体地说涉及基于单元的参考电压生成。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有常常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了接入所存储的信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，快闪存储器)即使在不存在外部电源的情况下仍可将数据存储很长一段时间。易失性存储器装置(例如，DRAM)除非被外部电源定期刷新，否则可能随时间推移而丢失其存储的状态。二进制存储器装置可例如包含带电或放电电容器。带电电容器可能会随时间推移由于泄漏电流而放电，从而导致所存储的信息丢失。易失性存储器的某些方面可提供例如较快读取或写入速度的性能优势，而非易失性存储器的方面(例如无需定期刷新而存储数据的能力)可为有利的。

FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但由于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性性质。因此，与其它非易失性和易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有经改进的性能。使用FeRAM的装置可使用预定参考电压来感测由FeRAM存储器单元存储的状态。但此预定参考电压可能并不适于装置。另外，此参考电压可能随时间推移而随单元特性变化，从而进一步导致优选参考电压值与实际参考电压值之间存在偏差。使用不正确的参考电压会破坏装置的感测操作，从而带来不准确的读取且降低性能。

附图说明

本文中的本公开提及且包含以下各图：

图1说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的实例存储器阵列；

图2说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的存储器单元的实例电路；

图3说明根据本公开的各种实施例的用于操作支持基于单元的参考电压生成的铁电存储器单元的实例磁滞曲线图；

图4说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的实例电路；

图5说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的实例时序图；

图6说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的实例电路；

图7说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的实例时序图；

图8说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的实例铁电存储器阵列；

图9说明根据本公开的各种实施例的支持基于单元的参考电压生成的包含存储器阵列的装置；以及