[发明专利]陶瓷层叠体有效
| 申请号： | 201780014535.6 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108699700B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 德桥惠祐;木村圭一;宇野智裕;佐藤裕 | 申请（专利权）人： | 日本制铁株式会社 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04;B32B15/04;H01B1/02;H01B3/12;H01B5/14;H01L23/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 层叠 | ||
1.一种陶瓷层叠体，其是在金属层上形成陶瓷膜而成的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜的最小膜厚为1μm以上，该陶瓷膜包含氮化硅及不可避免的杂质而成，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为300nm以下、在面内方向上的平均粒径为500nm以下，且该陶瓷膜不包含由烧结助剂产生的晶界相，
所述陶瓷膜的空隙率超过0％且低于3％，
其中，所述空隙率是在与膜面垂直方向的所述陶瓷膜的截面中空隙在所述陶瓷膜中所占的面积比例，
所述陶瓷膜中，β-氮化硅晶体的(210)面的X射线衍射强度I(210)相对于(101)面的X射线衍射强度I(101)之比为超过0.9的值。
2.根据权利要求1所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜的最小膜厚为所述金属层的最大高度粗糙度的1.5倍以上。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜中，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为150nm以下、在面内方向上的平均粒径为250nm以下。
4.根据权利要求3所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜中，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为100nm以下、在面内方向上的平均粒径为150nm以下。
5.根据权利要求1或2所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜包含氮化硅中的β-氮化硅的比例为超过50重量％的值的氮化硅及不可避免的杂质而成。
6.根据权利要求1或2所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜中，所述β-氮化硅晶体的(210)面的X射线衍射强度I(210)相对于(101)面的X射线衍射强度I(101)之比为超过2.2的值。
7.根据权利要求1或2所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜包含氮化硅中的α-氮化硅的比例为超过50重量％的值的氮化硅及不可避免的杂质而成。
8.根据权利要求1或2所述的陶瓷层叠体，其特征在于，
所述陶瓷膜从膜厚方向看到的氮化硅的晶粒的平均长宽比小于2.0。
9.一种绝缘散热体，其特征在于，
由权利要求1～8中任一项所述的陶瓷层叠体制成。
10.根据权利要求9所述的绝缘散热体，其特征在于，
所述陶瓷膜的最小膜厚为10μm～100μm。
11.根据权利要求9或10所述的绝缘散热体，其特征在于，
所述金属层为铜或铝。
12.根据权利要求9或10所述的绝缘散热体，其特征在于，
在所述陶瓷膜上形成有金属电路。
13.根据权利要求12所述的绝缘散热体，其特征在于，
所述金属电路为铜或铝。
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