[发明专利]半导体光检测元件

权利要求书

1.一种半导体光检测元件，其具备：

硅基板，其具有光入射面与相对于所述光入射面的背面，且相应于入射光产生载流子；且

在所述光入射面形成有多个凸部，该凸部具有相对于所述硅基板的厚度方向倾斜的斜面；并且

在所述凸部中，所述硅基板的(111)面露出而作为所述斜面，

所述凸部的高度为200nm以上，

在所述硅基板的所述背面侧，设置有具有与所述硅基板不同的导电型的半导体区域，且

在所述硅基板的所述光入射面侧设置有蓄积层，并且

所述凸部的斜面包含于所述蓄积层的表面，

所述蓄积层具有与所述硅基板相同的导电型，并且具有比所述硅基板的杂质浓度大的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其中，

进一步具备：

氧化物膜，其配置于所述光入射面上，使所述入射光透射；及

电极膜，其配置于所述氧化物膜上，使所述入射光透射并且连接于规定电位。

3.如权利要求2所述的半导体光检测元件，其中，

所述电极膜是由石墨烯构成的膜。

4.如权利要求2所述的半导体光检测元件，其中，

所述氧化物膜是氧化硅膜。

5.如权利要求3所述的半导体光检测元件，其中，

所述氧化物膜是氧化硅膜。

6.如权利要求2所述的半导体光检测元件，其中，

所述氧化物膜是氧化铝膜。

7.如权利要求3所述的半导体光检测元件，其中，

所述氧化物膜是氧化铝膜。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体光检测元件，其中，

进一步具备：

包含硼的膜，其配置于所述光入射面上，使所述入射光透射。