[发明专利]有源矩阵基板以及具备有源矩阵基板的液晶显示装置

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具备：基板；多个栅极总线和多个源极总线，其形成在上述基板上；以及栅极驱动器，其形成在上述基板上，驱动上述多个栅极总线，

上述有源矩阵基板的特征在于，

上述栅极驱动器包含多级移位寄存器，上述多级移位寄存器分别具有：多个氧化物半导体TFT，其形成在上述基板上；第1输入端子，其接收置位信号；第2输入端子，其接收时钟信号；第3输入端子，其接收清除信号；以及输出端子，其向多个栅极总线中的1个栅极总线输出栅极输出信号，上述时钟信号和上述清除信号的高电平侧的电位相同，并且，上述时钟信号和上述清除信号的低电平侧的电位也相同，

上述多个氧化物半导体TFT包含至少1个背栅结构TFT，上述背栅结构TFT具有：氧化物半导体层；主栅极电极；源极和漏极电极；以及背栅极电极，其隔着上述氧化物半导体层与上述主栅极电极相对，

上述至少1个背栅结构TFT包含第1TFT，上述第1TFT的上述主栅极电极连接于上述第3输入端子，

上述第1TFT的上述背栅极电极的电位被设定为正侧电源电压VDD或接地电位GND，

上述第1TFT为清除晶体管，

上述多个氧化物半导体TFT还包含：第2TFT，其漏极电极和源极电极中的一方连接于上述第2输入端子，另一方连接于上述输出端子；以及第3TFT，其栅极电极连接于上述第1输入端子。

2.一种有源矩阵基板，具备：基板；多个栅极总线和多个源极总线，其形成在上述基板上；以及栅极驱动器，其形成在上述基板上，驱动上述多个栅极总线，

上述有源矩阵基板的特征在于，

上述栅极驱动器包含多级移位寄存器，上述多级移位寄存器分别具有形成在上述基板上的多个氧化物半导体TFT，

上述多个氧化物半导体TFT包含至少1个背栅结构TFT，上述背栅结构TFT具有：氧化物半导体层；主栅极电极；源极和漏极电极；以及背栅极电极，其隔着上述氧化物半导体层与上述主栅极电极相对，

上述至少1个背栅结构TFT包含第1TFT，上述第1TFT的上述主栅极电极连接于负侧电源电压VSS，

上述第1TFT的上述背栅极电极的电位被设定为正侧电源电压VDD或接地电位GND，

上述有源矩阵基板还具备覆盖上述第1TFT的绝缘层，

上述绝缘层具有包含无机绝缘层和形成在上述无机绝缘层上的有机绝缘层的层叠结构，

上述有机绝缘层具有使上述无机绝缘层的一部分露出的开口部，上述开口部与上述第1TFT的上述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分重叠，

上述背栅极电极配置在上述开口部内，

上述第1TFT具有代替清除晶体管的作用。

3.一种有源矩阵基板，具备：基板；多个栅极总线和多个源极总线，其形成在上述基板上；以及栅极驱动器，其形成在上述基板上，驱动上述多个栅极总线，

上述有源矩阵基板的特征在于，

上述栅极驱动器包含多级移位寄存器，上述多级移位寄存器分别具有形成在上述基板上的多个氧化物半导体TFT，

上述多个氧化物半导体TFT包含至少1个背栅结构TFT，上述背栅结构TFT具有：氧化物半导体层；主栅极电极；源极和漏极电极；以及背栅极电极，其隔着上述氧化物半导体层与上述主栅极电极相对，

上述至少1个背栅结构TFT包含第1TFT，上述第1TFT的上述主栅极电极连接于负侧电源电压VSS，

上述第1TFT的上述背栅极电极的电位被设定为正侧电源电压VDD或接地电位GND，

上述背栅极电极经由电阻和电容器连接于上述正侧电源电压VDD或上述接地电位GND，

上述第1TFT具有代替清除晶体管的作用。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板，

上述多个氧化物半导体TFT包含至少1个不具有背栅极的单栅极结构TFT。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板，

具有多个像素区域，上述多个像素区域分别具有：像素TFT，其形成在上述基板上；以及像素电极，其与上述像素TFT的漏极电极电连接，上述像素TFT的源极电极连接于上述多个源极总线中的1个源极总线，上述像素TFT的栅极电极连接于上述多个栅极总线中的1个栅极总线。