[发明专利]用于形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的多阶电压

权利要求书

1.一种在设置在第一导电电极和第二导电电极之间并与它们电接触的金属氧化物材料中形成导电细丝的方法，所述方法包括：

跨所述第一电极和所述第二电极施加在时间上间隔开的多个电压脉冲；

其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的振幅在所述电压脉冲期间增大。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压振幅的最大值超过在所述一个电压脉冲之前的多个电压脉冲中的任一个的电压振幅最大值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述方法还包括：

将在所述电压脉冲期间跨所述第一电极和所述第二电极施加的电流限制到电流限制。

4.根据权利要求3所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电流限制超过在所述一个电压脉冲之前的多个电压脉冲中的任一个的电流限制。

5.根据权利要求4所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，紧接的连续电压脉冲的电流限制比所述一个电压脉冲的电流限制大一个乘数因子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的所述振幅在离散阶跃中增大。

7.根据权利要求6所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述离散阶跃的数量超过在所述一个电压脉冲之前的多个电压脉冲中的任一个的离散阶跃数量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述一个电压脉冲的持续时间超过在所述一个电压脉冲之前的多个电压脉冲中的任一个的持续时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所有所述多个电压脉冲都具有相同的持续时间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的所述振幅逐渐增大。

11.根据权利要求10所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压振幅逐渐增大的速率超过在所述一个电压脉冲之前的多个电压脉冲中的任一个的速率。

12.根据权利要求10所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压振幅逐渐增大的速率与所述多个电压脉冲中所有其他电压脉冲的速率都相同。

13.根据权利要求2所述的方法，其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述一个电压脉冲具有起始电压振幅，所述起始电压振幅等于紧接在所述一个电压脉冲之前的多个电压脉冲中的任一个的结束电压振幅。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述电压脉冲中的每一个以具有反向极性的电压结束。

15.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在所述多个电压脉冲中的每一个之后测量所述金属氧化物材料的电阻；以及

响应于所述测量的电阻低于预定阈值，停止施加所述电压脉冲。

16.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

响应于超过预定值的一个电压脉冲期间跨所述第一电极和所述第二电极施加的电流，停止施加所述电压脉冲。

17.一种存储器设备，所述存储器设备包括：

金属氧化物材料，所述金属氧化物材料设置在第一导电电极和第二导电电极之间并与它们电接触；

电压源，所述电压源被配置成跨所述第一电极和所述第二电极施加在时间上间隔开的多个电压脉冲；

其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的振幅在所述电压脉冲期间增大。