[发明专利]用于在窄带系统中产生工程设计辐照图案的系统和方法

权利要求书

1.一种用于使用工程设计辐照图案对标靶进行窄带辐射加热的系统，所述系统包括：

基于窄带红外半导体的发射器系统(40)，其包括至少一个表面发射分布反馈(SEDFB)激光二极管阵列；

标靶区域(51)，所述标靶能够定位到所述标靶区域中；及

多个工程设计漫射器组件(50,54,55,80)，每一工程设计漫射器组件包括布置在所述发射器系统与所述标靶区域之间的射束路径中的微透镜或反射器阵列，所述工程设计组件匹配于所述激光二极管阵列中的个别装置的几何结构和输出，且经配置以投影所述窄带红外发射器系统的输出能量的形状和功率密度，以在所述标靶区域中产生所述输出能量的多个工程设计辐照图案中的一个，其中所述多个工程设计辐照图案中的所述一个包含所述输出能量的重叠。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述发射器系统(40)包括多个激光二极管阵列，其中所述多个阵列的激光二极管具有通过对应漫射器组件被引导到所述标靶区域的特定区带的能量。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述发射器系统(40)产生被分离达至少175nm的至少两个窄带波长范围的输出能量，每一窄带波长范围对所述标靶具有不同加热结果，其中所述标靶包括食品。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述工程设计漫射器组件(50,54,55,80)安装在固定物中以使其与所述发射器保持处于正确关系。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统具有用于用户的开放框架布置，其中当所述用户物理上相互作用到所述标靶区域中时，安全装置中断所述发射器系统(40)的输出。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述激光二极管阵列中的每一者与其自己的工程设计漫射器组件匹配以用于修改在所述标靶区域(51)中产生的所述工程设计辐照图案，或其中所述工程设计漫射器组件(50,54,55,80)中的每一者修改所述输出能量以与具有特定功率密度水平的特定标靶相互作用，或其中不同漫射器组件(50,54,55,80)有助于不同辐射强度图案，或其中来自每一激光二极管的辐照穿过所述工程设计漫射器组件(50,54,55,80)的特定区段。

7.根据权利要求1所述的系统，其中额外组件放置在所述射束路径中以保护所述工程设计漫射器组件(50,54,55,80)或人员中的至少一者，或其中额外组件经配置以进一步修改所述发射器系统(40)的输出。

8.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括烹饪系统的至少一部分。

9.根据权利要求2所述的系统，其中所述多个激光二极管阵列位于所述标靶区域周围的一或多个定向上。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述工程设计辐照图案是圆形、正方形、三角形、矩形、弧形中的一者或多个这些形状，或其中所述发射器系统与所述工程设计组件之间的距离是针对所述工程设计辐照图案的所要大小而设计，或其中所述标靶区域是针对用户利用可见光学图案投影、物理标记或图形描绘中的至少一者而界定，或其中所述工程设计漫射器组件的特定配置被报告给控制系统或所述用户中的至少一者。

11.根据权利要求4所述的系统，其中所述固定物含有在所述射束路径中的多于一个工程设计漫射器组件。

12.根据权利要求4所述的系统，其中所述固定物采取箱盒、圆盘传动装置或可互换机械安装件中的一者的形式。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述可互换机械安装件有助于所述组件的调换或清洁。

14.根据权利要求12所述的系统，其中所述箱盒、圆盘传动装置或可互换机械安装件能够通过使用唯一定位特征而仅放置在所述射束路径内。