[发明专利]新的锗硅酸盐组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种结晶硅酸盐组合物，所述结晶硅酸盐组合物衍生自或能够衍生自前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐的至少一种转变，所述至少一种转变包括脱锗或拓扑重排，其中：

(a)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从3.8至5.4的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含具有在从25至无穷大的范围内的Si/Ge比率的CIT-15拓扑结构的硅酸盐；

(b)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从3.8至5.4的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含具有在从25至无穷大的范围内的Si/Ge比率的CIT-14拓扑结构的硅酸盐；

(c)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从4.5至10的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含具有在从25至250的范围内的Si/Ge比率的CIT-13拓扑结构的锗硅酸盐；

(d)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从3.8至5.4的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含具有在从3.8至5.4的范围内的Si/Ge比率的CIT-5拓扑结构的锗硅酸盐；

(e)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从3.8至5.4的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含具有在从30至200的范围内的Si/Ge比率的CIT-5拓扑结构的锗硅酸盐；

(f)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从3.8至5.4的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含CIT-5拓扑结构的锗硅酸盐，所述CIT-5拓扑结构的锗硅酸盐包含二氧化硅、氧化锗和M的至少一种氧化物，其中M是Al、B、Fe、Ga、Hf、Si、Sn、Ti、V、Zn、Zr，其中Si/M的比率在从25至250的范围内；或

(g)所述前体结晶微孔的CIT-13锗硅酸盐具有在从3.8至5.68的范围内的初始Si/Ge比率，并且所述结晶硅酸盐组合物包含被命名为CIT-13P、具有在从40至无穷大或从50至100的范围内的Si/Ge比率的页硅酸盐。

2.如权利要求1所述的结晶硅酸盐组合物，所述结晶硅酸盐组合物是呈现出在6.70±0.2度2-θ、7.34±0.2度2-θ、13.2±0.2度2-θ、18.74±0.2度2-θ、19.4±0.2度2-θ、19.98±0.2度2-θ、21.54±0.2度2-θ、22.44±0.2度2-θ、24.00±0.2度2-θ、27.17±0.2度2-θ处的特征峰中的至少五个特征峰的粉末X射线衍射(PXRD)图案的CIT-13拓扑结构的微孔的锗硅酸盐。

3.如权利要求1所述的结晶硅酸盐组合物，所述结晶硅酸盐组合物是具有由10元环和14元环限定的孔以及在从25至250的范围内的Si/Ge比率的CIT-13拓扑结构的微孔的锗硅酸盐。

4.如权利要求3所述的结晶硅酸盐组合物，还以在从25至250的范围内的Si/M比率包含金属或类金属M的至少一种晶格氧化物，其中M是铝、硼、镓、铪、铁、硅、锡、钛、钒、锌或锆。

5.如权利要求4所述的结晶硅酸盐组合物，其中所述结晶硅酸盐组合物是CIT-13拓扑结构的微孔的铝硅酸盐。

6.如权利要求5所述的结晶硅酸盐组合物，其中所述CIT-13拓扑结构的微孔的铝硅酸盐呈现出相对于1M硝酸铝水溶液，具有在54ppm处的特征化学位移的²⁷Al MAS NMR光谱。

7.如权利要求5或6所述的结晶硅酸盐组合物，其中所述CIT-13拓扑结构的微孔的铝硅酸盐呈现出相对于四甲基硅烷(TMS)，具有在-110ppm和-115ppm处的特征化学位移的²⁹SiMAS NMR光谱。

8.如权利要求3所述的结晶硅酸盐组合物，还包含在其微孔中的金属阳离子盐、过渡金属、过渡金属氧化物或过渡金属盐。