[发明专利]放热构件用组合物、放热构件、电子机器、放热构件用组合物的制造方法、放热构件的制造方法

权利要求书

1.一种放热构件用组合物，其特征在于，包含：

与第1偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及

与第2偶合剂的一端键结的导热性的第2无机填料；

所述第1偶合剂与所述第2偶合剂的至少一者为液晶硅烷偶合剂，且

所述第1偶合剂的另一端与所述第2偶合剂的另一端具有能够相互键结的官能基，

通过硬化处理，所述第1偶合剂的另一端与所述第2偶合剂的另一端键结。

2.根据权利要求1所述的放热构件用组合物，其中

所述第1无机填料与所述第2无机填料为选自氮化硼、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纤维、碳纳米管、石墨烯、氧化铝、二氧化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锌、氢氧化镁、或氧化铁系材料中的至少一者。

3.根据权利要求1或2所述的放热构件用组合物，其还包含

具有与所述第1无机填料及所述第2无机填料不同的热膨胀率的第3无机填料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的放热构件用组合物，其还包含

所述第1无机填料及所述第2无机填料所未键结的有机化合物或高分子化合物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的放热构件用组合物，其中

所述液晶硅烷偶合剂为在末端具有聚合性基的下述式(1)所表示的硅烷偶合剂；

(R₁-O-)_jR_5(3-j)Si-R^c-Z-(A-Z)_m-R^a (1)

[式(1)中，

R^a为不含-C＝C-或-C≡C-部位的所述聚合性基；

R^c为碳数2～3的亚烷基，所述亚烷基中，除与Si邻接的-C-C-以外的任意的-CH₂-可被-CO-或-COO-取代，与Si邻接的-C-C-可被-C-CR^d-取代，R^d为卤素(Ha)或CHa₃；

A为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、芴-2，7-二基或下述式(3-1)～式(3-7)所表示的二价的基，式(3-1)～式(3-7)中的*为不对称碳，

所述环上，任意的-CH₂-可被-O-取代，任意的-CH＝可被-N＝取代，任意的氢可被卤素、碳数1～10的烷基、碳数1～10的卤化烷基、或者所述烷基或所述卤化烷基中任意的-CH₂-被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-或-C≡C-取代的基团取代；

Z独立地为单键、任意的氢可被卤素取代的碳数1～20的亚烷基、或者所述亚烷基中任意的-CH₂-被-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代的基团；

m为1～6的整数；

R₅为氢、或碳数1～8的烷基；

R₁为氢、或碳数1～5的烷基；

j为1～3的整数]

[化1]