[发明专利]等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201780015395.4 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108701613A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 樱井隆觉 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 邵秋雨;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三氟丙烯 等离子体蚀刻 组成式 处理容器 蚀刻 处理气体供给 发射光谱分析 被处理体 硅氮化物 | ||
1.一种等离子体蚀刻方法，能够等离子体蚀刻具有硅氮化物膜的被处理体，包含以下工序：
准备工序，将所述被处理体载置在处理容器内，以及
第1蚀刻工序，将包含能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体的处理气体供给到所述处理容器内，将所述处理容器内设为对所述能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体进行发射光谱分析而得到的CF2/F比的值成为0.33以上的条件，对所述被处理体上的硅氮化物膜进行等离子体蚀刻，所述能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体为2-溴-3,3,3-三氟丙烯气体、1-溴-3,3,3-三氟丙烯气体、(E)-1-溴-3,3,3-三氟丙烯气体和/或3-溴-2,3,3-三氟丙烯气体。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其中，
所述被处理体进一步具有硅氧化物膜，
所述等离子体蚀刻方法进一步包含在所述CF2/F比的值小于0.17的条件下对所述被处理体上的硅氧化物膜进行等离子体蚀刻的第2蚀刻工序，
包含将所述第1蚀刻工序和第2蚀刻工序切换而实施的情况。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其中，所述处理气体中所包含的含有氟和/或碳的气体仅由所述能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体形成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其中，所述能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体包含2-溴-3,3,3-三氟丙烯气体。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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