[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

半导体结构，设置在所述半导体衬底上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

第一电极，电连接到所述第一导电类型半导体层；

第二电极，电连接到所述第二导电类型半导体层；以及

图案层，设置在所述半导体衬底和所述半导体结构之间，

其中所述半导体结构的上表面包括沿不同方向延伸的第一边、第二边和第三边，

其中所述半导体结构的上表面的形状是直角三角形，

其中所述半导体结构的上表面包括沿不同方向延伸的第一边、第二边和第三边，

其中第一周长与第二周长的比率为1.1至1.25，所述第一周长为所述第一边、所述第二边和所述第三边的总和，所述第二周长为具有与所述半导体结构的所述上表面的面积相等面积的等边三角形的第四边、第五边和第六边的总和，

其中，所述图案层包括彼此分离的多个图案，

其中，所述多个图案包括从所述半导体衬底的中心到所述半导体衬底的边缘的第一图案至第n图案，以及

其中，所述第一图案至所述第n图案中的每个图案具有三角形环形形状，第(n-1)图案设置在位于所述第n图案的内周表面内侧的所述半导体衬底的上表面处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一边与所述第二边之间的角度是第一角度，所述第一边与所述第三边之间的角度是第二角度，所述第二边与所述第三边之间的角度是第三角度，所述第一角度是直角，所述第二角度和所述第三角度为25°至65°，

其中所述有源层发射紫外波长光，所述紫外波长光的波长为100nm至400nm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个图案中的每个图案的宽度为2μm至5μm，所述多个图案之间的距离为0.4μm至1.5μm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述图案层是氮化铝(AlN)层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述图案层为透光绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述图案层相对于所述半导体衬底的所述上表面的整个区域所占据的面积为70％或更多。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一图案至所述第n图案中每一个的外周表面的形状与所述半导体衬底的外周表面的形状相同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一图案至所述第n图案中的每一个距所述半导体衬底的中心的最短距离沿所述半导体衬底的所述边缘的方向增加，并且

其中所述最短距离是从所述半导体衬底所述的中心至所述第一图案至所述第n图案中的每一个的外周表面的最短分离距离。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，所述图案层相对于所述半导体衬底的所述上表面的整个区域所占据的面积为95％或更小。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体结构包括暴露所述第一导电类型半导体层的区域，并且所述第一电极连接到导电类型半导体层的暴露区域。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极具有三角形形状，所述第二电极具有梯形形状。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述图案层的厚度为0.5μm至3μm。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中从所述半导体衬底的下表面到所述第二导电类型半导体层的上表面的高度为60μm至300μm。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，包括设置在所述图案层上的氮化物半导体层。