[发明专利]氮化铝单晶基板的制造方法

权利要求书

1.一种氮化铝单晶基板的制造方法，其为将铝源和氮源供给到由氮化铝单晶形成的基底基板的主面上，在该主面上生长氮化铝单晶层之后，分离该基底基板和氮化铝单晶层，从而制造氮化铝单晶基板的方法，其特征在于包括：

准备工序，准备由氮化铝单晶形成的基底基板，其中，基底基板在X射线相对于主面的入射角度为10°以上的条件下测定的、倾斜结晶面的X射线欧米伽(ω)摇摆曲线的半峰宽为100秒以下；

生长工序，通过在该基底基板的主面上生长厚度500μm以上的氮化铝单晶层，从而得到具有所述基底基板和在该基底基板的主面上生长的所述氮化铝单晶层的层叠体；

分离工序，切割所述层叠体的所述氮化铝单晶层部分，使所述层叠体分离成层叠有氮化铝单晶层的至少一部分的薄膜的基底基板及除此之外的氮化铝单晶层部分；

再生研磨工序，对于层叠有该薄膜的基底基板的薄膜的表面，从该表面起研磨30μm以上；以及

循环工序，将该再生研磨工序中得到的由氮化铝单晶形成的再生基底基板作为在其研磨表面上生长氮化铝单晶的基底基板使用。

2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，所述准备工序中准备的基底基板的主面为(001)面、(110)面或(100)面，

当所述主面为(001)面时，所述倾斜结晶面为(002)面和(101)面，对于该(002)面和(101)面这两者，所述X射线欧米伽(ω)摇摆曲线的半峰宽为100秒以下；

当所述主面为(110)面时，所述倾斜结晶面为(110)面和(111)面，对于该(110)面和(111)面这两者，所述X射线欧米伽(ω)摇摆曲线的半峰宽为100秒以下；

当所述主面为(100)面时，所述倾斜结晶面为(100)面和(201)面，对于该(100)面和(201)面这两者，所述X射线欧米伽(ω)摇摆曲线的半峰宽为100秒以下。

3.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，在所述分离工序中得到的层叠有薄膜的基底基板中，该薄膜的厚度为1～300μm。

4.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，在所述研磨工序中得到的由氮化铝单晶形成的再生基底基板中，被研磨的薄膜部分的厚度为100μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，在所述研磨工序中，通过研磨去除所有薄膜部分，从而使准备工序中准备的基底基板部分于表面露出。

6.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，所述准备工序中准备的由氮化铝单晶形成的基底基板的主面中的位错密度为10⁶cm^-2以下。

7.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，所述准备工序中准备的由氮化铝单晶形成的基底基板的主面为(001)面、(100)面或(110)面，

在X射线相对于所述主面的入射角度为4°以下的条件下测定的、特定结晶面的X射线欧米伽(ω)摇摆曲线半峰宽为200秒以下，

当所述主面为(001)面时，所述特定结晶面为(103)面，

当所述主面为(100)面时，所述特定结晶面为(106)面，

当所述主面为(110)面时，所述特定结晶面为(114)面。

8.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，所述铝源为卤化铝气体，所述氮源为氨气。

9.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，所述准备工序中准备的由氮化铝单晶形成的基底基板的主面是从(001)面以0.00°以上1.00°以下的范围向m轴方向倾斜且从(001)面以0.00°以上1.00°以下的范围向a轴方向倾斜的(001)面，

所述主面向m轴方向的倾斜角和所述主面向a轴方向的倾斜角中的至少一者大于0.00°。