[发明专利]用于选择性干式蚀刻的方法及设备

权利要求书

1.一种处理方法，包含以下步骤：

提供其上具有至少一个特征的基板表面，所述至少一个特征包含顶部、底部及侧壁；

在所述至少一个特征上沉积氮化硅膜，以使得所述氮化硅膜形成于所述顶部、所述底部及所述侧壁上；

利用具有高离子浓度的等离子体对所述氮化硅膜进行处理，以改变所述特征的所述顶部与底部上的所述氮化硅膜相对于所述侧壁的性质，其中所述具有高离子浓度的等离子体具有大于或等于约10¹⁰/cm³的浓度；以及

将经处理的所述氮化硅膜暴露至高强度等离子体，以对所述氮化硅膜进行选择性干式蚀刻，

其中所述高强度等离子体具有至少2.2E+20m^-2s^-1的峰值离子通量并且在等离子体组件中生成，所述等离子体组件具有包含至少一个槽的阻隔板，所述阻隔板与所述基板间隔，所述至少一个槽具有在2mm至20mm的范围中的宽度，并且其中所述高强度等离子体包含惰性气体与稳定化学品。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在对所述氮化硅膜进行干式蚀刻之前，重复形成所述氮化硅膜并依序处理所述氮化硅膜以沉积总厚度的膜。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体包含氦气。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述稳定化学品包含氨。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述高强度等离子体主要由氦与氨组成。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体组件的每一槽具有所述高强度等离子体流过的边缘。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述阻隔板包含两个槽。

8.如权利要求1所述的方法，其中对所述氮化硅膜进行处理发生在沉积具有约至约的范围内的厚度的氮化硅膜之后。

9.一种处理方法，包含以下步骤：

将基板表面定位于处理腔室中，所述基板表面上具有至少一个特征，所述至少一个特征具有顶部、底部及侧壁；

将所述基板表面暴露于包含至少一个沉积循环的沉积环境，所述沉积循环包含依序暴露于硅前驱物与含氮反应物，以在所述至少一个特征的所述顶部、底部及侧壁上形成氮化硅膜；

将所述氮化硅膜暴露于处理环境，以修改沉积在所述至少一个特征的所述顶部与底部上的所述氮化硅膜，所述处理环境包含具有大于或等于约10¹⁰/cm³的离子浓度的等离子体；以及

使用具有至少2.2E+20m^-2s^-1的峰值离子通量并且在等离子体组件中产生的高强度等离子体对经修改的氮化硅膜进行干式蚀刻，其中所述等离子体组件具有阻隔板且与所述基板间隔，所述阻隔板包含至少一个槽，所述至少一个槽具有在2mm至20mm的范围中的宽度，并且其中所述高强度等离子体包含惰性气体与稳定化学品。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述惰性气体包含氦气。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述稳定化学品包含氨。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述阻隔板包含至少二个槽。