[发明专利]在去夹持步骤期间移除静电夹盘上的残余电荷的方法有效
申请号: | 201780015690.X | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN108886013B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 小温德尔·G·博伊德;汤姆·K·崔;罗伯特·T·海拉哈拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹持 步骤 期间 静电 夹盘上 残余 电荷 方法 | ||
1.一种基板支撑件,包含:
本体,具有形成在工件支撑表面中的一个或多个孔,所述工件支撑表面经构造以在所述工件支撑表面上接收基板;
电极,设置在所述本体中,且经构造以将所述基板静电保持到所述工件支撑表面;
辐射发射器,设置在形成于所述工件支撑表面中的所述一个或多个孔的第一孔中,所述辐射发射器经构造以从所述第一孔发射电磁能;及
扩散器,设置在所述第一孔中并位于所述辐射发射器上方,
其中所述电磁能在从700nm至900nm的波长的连续光谱波长范围内发射,
其中所述电磁能穿过所述扩散器以将所述电磁能扩散在所述工件支撑表面上,
其中所述本体由暴露于所述电磁能时能够被激发为导电状态或半导电状态的材料制成,使得所述电磁能是可操作的以增加所述工件支撑表面的导电率,从而将所述工件支撑表面上的残余电荷传导远离所述工件支撑表面。
2.根据权利要求1所述的基板支撑件,其中所述本体由陶瓷形成。
3.根据权利要求1所述的基板支撑件,其中所述本体由AlN或掺杂有氧的AlN形成。
4.根据权利要求1所述的基板支撑件,其中所述辐射发射器设置在升降销中。
5.根据权利要求1所述的基板支撑件,进一步包含:
电磁能源,耦合到所述辐射发射器,其中所述电磁能源经构造以产生所述电磁能。
6.根据权利要求1所述的基板支撑件,进一步包含:
第二电极。
7.根据权利要求1所述的基板支撑件,其中所述第一孔是背侧气体输送孔。
8.一种处理腔室,包含:
腔室本体,具有腔室盖、腔室壁和腔室底部,其中所述腔室本体包围腔室内部容积;
喷头,设置在所述腔室内部容积中;
基板支撑件,设置在所述腔室内部容积中;及
辐射发射器,设置在所述喷头,所述盖或基板支撑件的一个中,所述辐射发射器经构造以在照射或反射到所述基板支撑件的工件支撑表面上的方向上发射电磁能,
其中所述电磁能在从700nm至900nm的波长的连续光谱波长范围内发射,
其中所述基板支撑件的本体由暴露于所述电磁能时能够被激发为导电状态或半导电状态的材料制成,使得所述电磁能是可操作的以增加所述工件支撑表面的导电率,从而将所述工件支撑表面上的残余电荷传导远离所述工件支撑表面。
9.根据权利要求8所述的处理腔室,进一步包含:
扩散器,设置在所述辐射发射器上方。
10.根据权利要求8所述的处理腔室,其中所述基板支撑件由陶瓷材料形成。
11.根据权利要求10所述的处理腔室,进一步包含:
电磁能源,耦合到所述辐射发射器,其中所述电磁能源经构造以产生所述电磁能。
12.根据权利要求8所述的处理腔室,其中所述辐射发射器设置在升降销中,所述升降销设置在所述基板支撑件中。
13.根据权利要求8所述的处理腔室,其中所述辐射发射器设置背面输送孔中,所述背面输送孔设置在所述基板支撑件中。
14.一种用于在基板支撑件上对残余电荷进行放电的方法,包含以下步骤:
通过所述基板支撑件的工件支撑表面发射电磁能,其中所述电磁能在从700nm至900nm的波长的连续光谱波长范围内发射;
将所述电磁能反射到所述基板支撑件的所述工件支撑表面上,其中所述基板支撑件的本体由暴露于所述电磁能时能够被激发为导电状态或半导电状态的材料制成;及
提供暴露于经反射的所述电磁能而增加所述基板支撑件的所述工件支撑表面的导电率,以将所述工件支撑表面上的残余电荷传导远离所述工件支撑表面。
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