[发明专利]聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法有效
| 申请号： | 201780015761.6 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109153787B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 徐芳荣;李平;池田武史;宋韡;金光男;梅原正明;北田刚 | 申请（专利权）人： | 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/16 | 分类号： | C08G77/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;牛蔚然 |
| 地址： | 200241 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚硅氧烷 半导体 用材 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种聚硅氧烷，其特征在于：含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，
式1中，Q为式2所示的结构片段，
式2中，X为碳原子数小于7的烷基或者主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基；R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数小于3的取代基，或者R2与X上的碳原子连接成为环状取代基；
T为羟基、烷基、含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基。
2.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述X为主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基。
3.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数为1的取代基或者R2与X上的碳原子连接成为环状取代基。
4.根据权利要求3所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分别独立为氢原子。
5.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷仅由Q 为式2所示的分子结构片段构成的式1所示的分子结构片段组成。
6.根据权利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述分子结构片段为相同的分子结构片段。
7.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：还含有摩尔含量1～99％的至少一种选自下式3所示的分子结构片段，
式3中X1为碳原子数小于8的烷基或碳原子数小于10的芳基；Y1为羟基、碳原子数小于10的芳基或者碳原子数小于8的烷基。
8.根据权利要求7所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述式3所示的分子结构片段的摩尔含量为1～50％。
9.根据权利要求7所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Y1为羟基。
10.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：T为羟基、碳原子数小于8的烷基或者含有式4所示的结构，
式4中Z为碳原子数小于7的烷基或者主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基；R4、R5、R6分别独立为氢原子、碳原子数小于3的取代基，或者R5与Z上的碳原子连接成为环状取代基。
11.根据权利要求10所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Z为主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基。
12.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述T为羟基。
13.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷不含有环氧乙烷结构。
14.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为500～50000。
15.根据权利要求14所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为1000～11000。
16.根据权利要求15所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为1500～5500。
17.一种用于太阳能和半导体的材料，其特征在于：含有权利要求1～16任意一项所述的聚硅氧烷。
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