[发明专利]半导体光器件和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体光器件，在该半导体光器件中，在半导体层的成为发光面或受光面的表面设有布线电极部，该半导体光器件的特征在于，

所述布线电极部的线宽为2μm以上且为5μm以下，

所述布线电极部具有形成于所述半导体层上的金属层和形成于该金属层上的导电性硬质膜，

所述导电性硬质膜的硬度高于所述金属层的硬度，

在所述布线电极部的周缘部的下方与所述半导体层之间存在空隙。

2.根据权利要求1所述的半导体光器件，其中，

所述半导体层的表面包含平坦面区域和粗糙面区域，

所述半导体层的表面与所述布线电极部之间的接合中心部处的所述半导体层的表面是所述平坦面区域，且所述空隙由所述粗糙面区域构成。

3.根据权利要求2所述的半导体光器件，其中，

所述接合中心部处的所述平坦面区域的线宽为1.0μm以上。

4.根据权利要求2或3所述的半导体光器件，其中，

在所述接合中心部处，所述平坦面区域的线宽比所述布线电极部的线宽小，线宽之差至少为0.5μm。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光器件，其中，

所述导电性硬质膜的厚度为0.4μm以上且为1.7μm以下。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光器件，其中，

所述导电性硬质膜是从由Ti、Ta、Cr、W、Mo、V组成的组中选择的1种或两种以上的金属元素的氮化物。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光器件，其中，

所述半导体层包含n型半导体层、发光层以及p型半导体层，所述表面是所述n型半导体层和所述p型半导体层中的任一者的表面。

8.一种半导体光器件的制造方法，其包含在半导体层的成为发光面或受光面的表面形成布线电极部的布线电极部形成工序，该半导体光器件的制造方法的特征在于，

所述布线电极部的线宽为2μm以上且为5μm以下，

所述布线电极部形成工序包含在所述半导体层的表面上形成金属层的第1工序和在该金属层上形成导电性硬质膜的第2工序，

该半导体光器件的制造方法包含空隙形成工序，该空隙形成工序在所述布线电极部形成工序之后进行，利用该空隙形成工序，在所述布线电极部的周缘部的下方与所述半导体层之间形成空隙。

9.根据权利要求8所述的半导体光器件的制造方法，其中，

在所述空隙形成工序中，对所述半导体层的表面进行湿蚀刻，在使位于所述布线电极部的周缘部的下方的所述半导体层的表面粗糙化的同时形成所述空隙。