[发明专利]发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板有效

专利信息
申请号: 201780016903.0 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN108780827B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 近藤崇 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: H01L33/08 分类号: H01L33/08;B41J2/447;H01L33/04;H01L33/14;H01S5/026;H01S5/42;B41J2/455
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟;李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 部件 打印头 图像 形成 设备 半导体 层叠
【权利要求书】:

1.一种发光部件,该发光部件包括:

第一半导体层叠体,其包括多个发光元件;

隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层,其设置在所述第一半导体层叠体上;以及

第二半导体层叠体,其包括依次设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上的p阳极层、电压降低层、n栅极层、p栅极层以及n阴极层,并且所述第二半导体层叠体包括驱动部,该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件,以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态,

其中,所述电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。

2.一种发光部件,该发光部件包括:

第一基板,其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体,所述第一半导体层叠体包括多个发光元件,所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体之下,所述第二半导体层叠体包括依次设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层之下的p阳极层、电压降低层、n栅极层、p栅极层以及n阴极层,并且所述第二半导体层叠体包括驱动部,该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件,以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态,其中,所述电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量;以及

转印基板,其设置在所述第二半导体层叠体之下。

3.根据权利要求1或2所述的发光部件,其中,所述多个发光元件的各个电流路径被收窄。

4.一种打印头,该打印头包括:

发光部,其包括基板,该基板包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体,所述第一半导体层叠体包括多个发光元件,所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上,所述第二半导体层叠体包括依次设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上的p阳极层、电压降低层、n栅极层、p栅极层以及n阴极层,并且所述第二半导体层叠体包括驱动部,所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件,以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态,其中,所述电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量;以及

光学部,其使从所述发光部发出的光成像。

5.一种图像形成设备,该图像形成设备包括:

图像承载体;

带电部,其使所述图像承载体带电;

发光部,其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体,所述第一半导体层叠体包括多个发光元件,所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上,所述第二半导体层叠体包括依次设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上的p阳极层、电压降低层、n栅极层、p栅极层以及n阴极层,并且所述第二半导体层叠体包括驱动部,所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件,以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态,其中,所述电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量;

光学部,其使从所述发光部发出的光成像;

曝光部,其借助所述光学部对所述图像承载体进行曝光;

显影部,其对通过所述曝光部的曝光而形成在所述图像承载体上的静电潜像进行显影;以及

转印部,其将所述图像承载体上显影的图像转印到被转印体上。

6.一种发光部件,该发光部件包括:

第一半导体层叠体,其包括多个发光元件;

隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层,其设置在所述第一半导体层叠体上;以及

第二半导体层叠体,其包括依次设置在所述隧道接合层或所述III-V化合物层上的p阳极层、电压降低层、n栅极层、p栅极层以及n阴极层,并且所述第二半导体层叠体包括晶闸管,其中,所述电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。

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