[发明专利]有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种有机半导体组合物，其含有下述(a)～(c)：

(a)重均分子量为2000以上的有机半导体聚合物；

(b)重均分子量为2000以上的绝缘性聚合物；

(c)溶剂，

所述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和所述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式，

0.1≤Mw1/Mw2≤10

所述有机半导体组合物中的所述有机半导体聚合物的含量C1质量％和所述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式，

0.1≤C1/C2≤10

所述有机半导体聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，

[化学式1]

式(1)中，D表示具有单环结构芳香族杂环或者稠合多环结构芳香族杂环的基团、或具有稠合多环芳香族烃环的基团，所述单环结构芳香族杂环或者稠合多环结构芳香族杂环具有至少1个选自氮原子、氧原子、硫原子及硒原子中的原子作为环构成原子，

A表示具有由下述式(A-1)～(A-12)中的任一者表示的结构的基团，

[化学式2]

式(A-1)～(A-12)中，

X^A表示氧原子、硫原子、硒原子或NR^X，R^N及R^X表示可以在碳链中包含-O-、-S-及-NR^A3-中的至少1者的烷基或由下述式(1-1)表示的基团，

Y^A表示氧原子或硫原子，

Z^A表示CR^A2或氮原子，

W^A表示C(R^A2)₂、NR^A1、氮原子、CR^A2、氧原子、硫原子或硒原子，R^A1表示可以在碳链中包含-O-、-S-及-NR^A3-中的至少1者的烷基、由下述式(1-1)表示的基团或单键，R^A2表示氢原子、卤原子、可以在碳链中包含-O-、-S-及-NR^A3-中的至少1者的烷基或单键，R^A3表示氢原子或取代基，

*表示用于嵌入于所述式(1)的A中的键合部位，

[化学式3]

式(1-1)中，

L_a表示可以在碳链中包含-O-、-S-及-NR^1S-中的至少1者的碳原子数1～20的亚烷基，

Ar表示芳香族杂环基或碳原子数6～18的芳香族烃基，

L_b表示可以在碳链中包含-O-、-S-及-NR^2S-中的至少1者的碳原子数1～100的烷基，

R^1S及R^2S表示氢原子或取代基，

l为1～5的整数，

*表示键合部位。

2.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，

所述式(1)中的D为由下述式(D-1)表示的基团，

[化学式4]

式(D-1)中，

X^d表示氧原子、硫原子、硒原子或NR^D1，R^D1表示有机基团，

Z^d表示氮原子或CR^D2，R^D2表示氢原子或有机基团，

M为单键、或者表示芳香族杂环基、芳香族烃基、亚烯基、亚炔基或将这些基团2个以上组合而成的2价基团，

p及q表示0～4的整数，

*表示用于嵌入于由(1)表示的结构单元中的键合部位。