[发明专利]接合方法

权利要求书

1.一种接合方法，是将压电性材料基板和包含单晶的支撑基板接合的方法，其特征在于，具有：

在所述压电性材料基板上设置氧化硅膜的工序，

在所述氧化硅膜上形成接合层的工序，所述接合层包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质；

通过对所述接合层的表面和所述支撑基板的表面照射中性束而将所述接合层的所述表面和所述支撑基板的所述表面活化的工序；和

将所述接合层的所述表面和所述支撑基板的表面直接键合的工序。

2.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于，具有对所述压电性材料基板进行加工而形成粗糙面的工序，在该粗糙面上设置所述氧化硅膜及所述接合层。

3.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于，在将所述接合层的所述表面平坦化后进行所述活化。

4.根据权利要求2所述的接合方法，其特征在于，在将所述接合层的所述表面平坦化后进行所述活化。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的接合方法，其特征在于，所述支撑基板包含选自由硅、蓝宝石和水晶构成的组中的一种材质。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的接合方法，其特征在于，所述压电性材料基板包含压电性单晶。

7.根据权利要求6所述的接合方法，其特征在于，所述压电性单晶包含铌酸锂、钽酸锂或铌酸锂-钽酸锂固溶体。

8.一种接合方法，是将包含压电性单晶的压电性材料基板和包含单晶的支撑基板接合的方法，其特征在于，具有：

在所述支撑基板上设置氧化硅膜的工序，

在所述氧化硅膜上形成接合层的工序，所述接合层包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质；

通过对所述接合层的表面和所述压电性材料基板的表面照射中性束而将所述接合层的所述表面和所述压电性材料基板的所述表面活化的工序；和

将所述接合层的所述表面与所述压电性材料基板的所述表面直接键合的工序。

9.根据权利要求8所述的接合方法，其特征在于，在将所述接合层的所述表面平坦化后进行所述活化。

10.根据权利要求8所述的接合方法，其特征在于，所述支撑基板包含选自由硅、蓝宝石和水晶构成的组中的一种材质。

11.根据权利要求9所述的接合方法，其特征在于，所述支撑基板包含选自由硅、蓝宝石和水晶构成的组中的一种材质。

12.根据权利要求8～11中的任一项所述的接合方法，其特征在于，所述压电性单晶包含铌酸锂、钽酸锂或铌酸锂-钽酸锂固溶体。

13.一种接合方法，是将压电性材料基板与包含单晶的支撑基板接合的方法，其特征在于，具有：

在所述压电性材料基板上形成第一接合层的工序，所述第一接合层包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质；

在所述支撑基板上形成第二接合层的工序，所述第二接合层包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质；

通过对所述第一接合层的表面和所述第二接合层的表面照射中性束而将所述第一接合层的所述表面和所述第二接合层的所述表面活化的工序；和

将所述第一接合层的所述表面与所述第二接合层的所述表面直接键合的工序。

14.根据权利要求13所述的接合方法，其特征在于，具有在所述压电性材料基板上设置氧化硅膜的工序，在该氧化硅膜上设置所述第一接合层。