[发明专利]近红外线屏蔽材料微粒分散体、近红外线屏蔽体和近红外线屏蔽用夹层结构体、以及它们的制造方法

说明书

本发明提供了能够比现有技术的含有钨氧化物或复合钨氧化物的近红外线屏蔽材料微粒分散体、近红外线屏蔽体和近红外线屏蔽用夹层结构体，表现更优异的屏蔽功能的含有复合钨氧化物的近红外线屏蔽材料微粒分散体、近红外线屏蔽体和近红外线屏蔽用夹层结构体、以及它们的制造方法。本发明提供了一种近红外线屏蔽材料微粒分散体，其中，近红外线屏蔽材料微粒分散在固体介质中，所述近红外线屏蔽材料微粒是含有六方晶的晶体结构的复合钨氧化物微粒，所述复合钨氧化物微粒的晶格常数的a轴长度与c轴长度中，a轴为以上且以下，c轴为以上且以下，所述近红外线屏蔽材料微粒的粒径为100nm以下。

技术领域

本发明涉及在可见光区域透明且在近红外线区域具有吸收的近红外线屏蔽材料微粒分散体、近红外线屏蔽体和近红外线屏蔽用夹层结构体、以及它们的制造方法。

背景技术

作为用作窗体材料等的遮光部件，专利文献1中公开了含有黑色类颜料的遮光膜，该黑色类颜料包含在可见光区域至近红外线区域具有吸收的炭黑、钛黑等无机颜料、以及仅在可见光区域具有强吸收的苯胺黑等有机颜料，专利文献2中公开了将铝等金属进行蒸镀而得的半镜面型遮光部件。

专利文献3中公开了热线屏蔽玻璃，其中，在透明玻璃基板上设置含有选自周期表的IIIa族、IVa族、Vb族、VIb族以及VIIb族构成的组中的至少一种金属离子的复合钨氧化物膜以作为靠基板侧的第一层，在所述第一层上设置透明电介质膜作为第二层，在该第二层上设置含有选自周期表的IIIa族、IVa族、Vb族、VIb族以及VIIb族构成的组中的至少一种金属离子的复合钨氧化物膜以作为第三层，并且所述第二层的透明电介质膜的折射率低于所述第一层和所述第三层的复合钨钨氧化物膜的折射率，由此，该热线屏蔽玻璃能够适用于需要具有高可见光透射率和良好的热线屏蔽性能的位置。

专利文献4中公开了热线屏蔽玻璃，其中，以与专利文献3中相同的方法设置第一电介质膜作为靠基板侧的第一层，在该第一层上设置钨氧化物膜作为第二层，并在第二层上设置第二电介质膜作为第三层。

专利文献5中公开了热线屏蔽玻璃，其中，以与专利文献3中相同的方法设置含有相同金属元素的复合钨氧化物膜作为靠基板侧的第一层，在所述第一层上设置透明电介质膜作为第二层。

专利文献6中公开了具有日光屏蔽特性的日光控制玻璃板，其通过CVD法或喷雾法而由含有氢、锂、钠或钾等添加材料的选自三钨氧化物(WO₃)、三氧化钼(MoO₃)、五氧化二铌(Nb₂O₅)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、五氧化二钒(V₂O₅)和二氧化钒(VO₂)的一种以上的金属氧化物膜所包覆，并在约250℃下热分解而形成。

专利文献7中公开了能够获得日光可变调光隔热材料，其中，使用将钨酸水解而得的钨氧化物，向该钨氧化物中添加聚乙烯吡咯烷酮这样的特定结构的有机聚合物，由此，在日光照射时，光线中的紫外线被该钨氧化物所吸收，产生激发电子和空穴，通过少量的紫外线量而显著增加五价钨的出现量，伴随着着色反应变快，着色浓度也变高，同时，通过屏蔽光而使五价钨迅速被氧化为六价钨，利用消色反应速度变快的特性，对日光的着色和消色反应较快，着色时在近红外线区域的波长1250nm处出现吸收峰，能够屏蔽日光的近红外线。

本发明人等在专利文献8中公开了如下技术方案：将六氯化钨溶解于醇中，直接蒸发溶剂或在加热回流后蒸发溶剂，然后在100℃～500℃下加热，由此，得到包含三钨氧化物或其水合物或两者的混合物的粉末，使用该钨氧化物微粒来得到电致变色原件，由此，在将质子导入构成多层叠层体的膜中时，能够改变该膜的光学特性。