[发明专利]半导体组合物在审
| 申请号： | 201780017792.5 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108780845A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·詹姆斯·西姆斯;西蒙·多米尼克·奥吉尔 | 申请（专利权）人： | 武汉新驱创柔光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 高瑜;郑霞 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市自贸区武汉片区左岭镇左*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体聚合物 半导体组合物 多环化合物 非聚合物 半导体 | ||
1.一种半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和半导体非聚合物多环化合物，其中所述半导体聚合物包含A和/或B的单元：
其中R1、R2、R5、R6、R7和R8各自独立地选自C1-C12烷基、C2-C12烯基和芳基；
其中当任何R1、R2、R5、R6、R7和/或R8基团是C1-C12烷基或C2-C12烯基时，则每个R1、R2、R5、R6、R7和/或R8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、C1-C10烷氧基、C3-C8环烷基、杂环基、芳基和式-(OCH2CH2)z-OR12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且R12是C1-C4烷基；
并且其中存在于R1、R2、R5、R6、R7和/或R8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；
其中在单元A(当存在时)中，R1和R2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元B(当存在时)中，R5、R6、R7和R8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；
x表示0、1、2或3；
y表示0、1、2或3；
p表示0、1、2或3；
q表示0、1或2；
r表示0、1、2或3；
其中每个R3、R4、R9、R10和R11(当存在时)独立地选自C1-C6烷基和C1-C4烷氧基。
2.根据权利要求1所述的半导体组合物，其中所述半导体聚合物在1000Hz下具有大于3.4的相对介电常数。
3.根据权利要求1或2所述的半导体组合物，其中所述半导体聚合物包含至少20％、优选地至少30％的单体A单元和/或B单元。
4.根据权利要求3所述的半导体组合物，其中所述半导体聚合物包含至少20％、优选地至少30％的单体A单元。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体组合物，其中所述半导体聚合物是共聚物。
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