[发明专利]音频换能器

权利要求书

1.一种音频换能器，该音频换能器包括：

磁钢板，该磁钢板具有周边；

框架，该框架包括与所述磁钢板平行的第一部分和穿过所述框架的所述第一部分的孔；

振膜，该振膜包括与所述框架的所述第一部分附连的周边；

磁路系统，该磁路系统包括布置在所述磁钢板上的一个或更多个磁体和形成在所述磁路系统中的磁间隙；以及

线圈组件，该线圈组件包括：线圈，该线圈位于所述磁间隙中，其中，所述线圈具有与所述振膜附连的顶侧；以及一对电引线，该一对电引线从所述线圈延伸，

其中，所述磁钢板、所述框架、所述振膜和所述磁路系统中的至少一方包括面对所述线圈的表面，该表面在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数。

2.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述磁钢板、所述框架、所述振膜和所述磁路系统的面对所述线圈的全部表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.80的光谱吸收系数。

3.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述磁钢板、所述框架、所述振膜和所述磁路系统中的至少一方具有s2.00J/(cm³K)的容积热容量，并且包括面对所述线圈的表面，其中，面对所述线圈的所述表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数。

4.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述磁钢板、所述框架、所述振膜和所述磁路系统中的至少一方具有λ_T5.00W/(m·K)的导热率，并且包括面对所述线圈的表面，其中，面对所述线圈的所述表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数。

5.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述一个或更多个磁体的面对所述线圈的表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.80的光谱吸收系数。

6.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述磁钢板、所述框架和所述振膜的面对所述线圈的表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.80的光谱吸收系数。

7.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述磁路系统包括周边磁体组件，所述周边磁体组件具有靠近所述磁钢板的周边布置的多个外部磁体和与所述多个外部磁体附连的环形板，并且其中，所述环形板的面对所述线圈的表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.80的光谱吸收系数。

8.根据权利要求7所述的音频换能器，其中，所述框架、所述磁钢板和所述环形板中的至少一方由金属制成。

9.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，具有在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数的、面对所述线圈的表面的所述磁钢板、所述框架、所述振膜和所述磁路系统中的所述至少一方还包括面对所述换能器的外部空间并且在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数的表面。

10.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，所述线圈的表面中的至少50％在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数。

11.根据权利要求1所述的音频换能器，其中，在λ＝5.06μm至λ＝9.89μm的波长范围内具有α0.8的光谱吸收系数的表面具有涂层。

12.根据权利要求11所述的音频换能器，其中，所述涂层是涂料。