[发明专利]半导体元件、其制造方法、无线通信装置及传感器

权利要求书

1.半导体元件，其是含有基板、第一电极、第二电极及半导体层、并且所述半导体层配置在所述第一电极与所述第二电极之间而成的半导体元件，其中，

所述半导体层含有选自碳纳米管及石墨烯中的一种以上，所述半导体元件的沟道长度L_C及沟道宽度W_C的关系为0.01≤W_C/L_C≤0.8。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体元件中，0.1≤W_C/L_C≤0.8。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述半导体层含有碳纳米管。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其中，所述碳纳米管的长度L_CNT与所述沟道长度L_C的关系为5≤L_C/L_CNT。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体元件，其中，所述碳纳米管中的金属型碳纳米管为0.5重量％以上且10重量％以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体元件，其中，所述碳纳米管为在表面的至少一部分附着有聚合物的碳纳米管复合体。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中，所述聚合物为共轭系聚合物。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体元件，其中，所述第一电极及所述第二电极间的所述基板表面的算术平均粗糙度(Ra)为2nm以下。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体元件，其中，在所述基板上包含聚硅氧烷层。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体元件中，5μm≤L_C≤30μm。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体元件，所述半导体元件为薄膜晶体管，所述半导体元件还含有第三电极及绝缘层，所述第三电极利用所述绝缘层而与所述第一电极、所述第二电极及所述半导体层电绝缘地配置。

12.半导体元件，其是含有多个如权利要求1～10中任一项所述的半导体元件作为独立半导体元件而成的半导体元件，其中，

所述多个独立半导体元件中的各第一电极彼此电连接，并且，所述多个独立半导体元件中的各第二电极彼此电连接。

13.半导体元件，其是含有多个如权利要求1～10中任一项所述的半导体元件作为独立半导体元件而成的半导体元件，其中，

所述多个独立半导体元件中的各第一电极彼此电连接，并且，所述多个独立半导体元件中的各第二电极彼此电连接，所述半导体元件还含有第三电极及绝缘层，所述第三电极利用所述绝缘层而与所述多个独立半导体元件中的各第一电极、所述多个独立半导体元件中的各第二电极及所述多个独立半导体元件中的各半导体层电绝缘地配置。

14.无线通信装置，其至少具有天线和权利要求1～13中任一项所述的半导体元件。

15.传感器，其含有权利要求1～13中任一项所述的半导体元件。

16.如权利要求15所述的传感器，其中，在半导体层的至少一部分具有选择性地与感知对象物质相互作用的生物相关物质。

17.权利要求3～13中任一项所述的半导体元件的制造方法，其包括通过对包含碳纳米管的溶液进行涂布及干燥来形成所述半导体层的工序。