[发明专利]新化合物半导体及其用途有效
| 申请号： | 201780018528.3 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109075242B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 高京门;金玟冏;朴哲熙;朴致成;郑明珍;闵裕镐 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/18;H01L35/16;H01L35/34;H01L31/0272;C01G51/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 用途 | ||
1.一种由以下化学式1表示的化合物半导体：
[化学式1]
PrxSyCo4Sb12-zQz
在化学式1中，Q包括O、Se和Te中的至少一者，
x、y和z意指各元素的摩尔比，其中0x1，0y1以及0z12。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x和y满足x/y1。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x和y满足0x+y≤1。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x相对于1摩尔的z的摩尔比为0.01摩尔至0.5摩尔。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，0.01≤x0.2，0.1≤y≤0.5以及0.01≤z≤1。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，Q为Te。
7.一种用于制备根据权利要求1所述的化合物半导体的方法，包括以下步骤：
将含量满足以下化学式1的化合物组成的Pr、S、Co、Sb和元素Q混合，以制备混合物，其中Q包括O、Se和Te中的至少一者；以及
对所述混合物进行热处理：
[化学式1]
PrxSyCo4Sb12-zQz
在化学式1中，Q包括O、Se和Te中的至少一者，
x、y和z意指各元素的摩尔比，其中0x1，0y1以及0z12。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述热处理步骤在400℃至800℃下进行。
9.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述热处理步骤之后冷却的步骤。
10.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述热处理步骤之后加压烧结的步骤。
11.一种热电转换装置，包含根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物半导体。
12.一种太阳能电池，包含根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物半导体。
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