[发明专利]用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜

权利要求书

1.一种半导体激光器，包括：

芯片，其中：

所述芯片由半导体材料制成；

所述半导体材料具有直接带隙；

所述芯片包括第一边缘；

所述芯片包括第二边缘；以及

所述第一边缘与所述第二边缘相对；

所述芯片中的壁，其中：

所述壁是蚀刻出的壁，

所述壁位于所述第一边缘和所述第二边缘之间；

设置在所述壁上的涂层，其中；

所述涂层包括介电层和金属层；

所述介电层位于所述壁和所述金属层之间；

所述涂层形成所述芯片中的反射镜；

形成在所述芯片中的脊，其中：

所述脊被配置为引导所述芯片中的光；

所述脊包括第一端和第二端；

所述第一端与所述第二端相对；

所述第一端终止于所述反射镜；

所述脊与所述反射镜在所述壁正交；

所述脊从所述反射镜延伸至所述第一边缘，使得光从所述反射镜被引导至所述芯片的所述第一边缘；以及

平台，其中：

所述平台包括反射器和波导；

所述芯片的所述脊的第二端与所述平台的所述波导光学耦合；

所述反射镜和所述反射器形成谐振腔。

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述平台包括硅；以及

所述直接带隙形成于III-V材料中。

3.如权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述反射器是第一反射器；所述第一反射器是第一光栅；所述谐振腔用于第一激光器；

所述半导体激光器还包括所述平台中的第二反射器，所述第二反射器是第二光栅，所述反射镜和所述第二反射器形成用于第二激光器的谐振腔。

4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括两个或更多个形成于所述芯片中的脊，其中：

所述两个或更多个脊中的每个脊终止于所述反射镜；以及

所述芯片是两个或更多个激光器的增益介质。

5.如权利要求1所述的半导体激光器，其中：

所述脊在所述反射镜与所述第一边缘之间弯曲。

6.如权利要求5所述的半导体激光器，其中所述介电层的厚度为25nm至100nm。

7.如权利要求1所述的半导体激光器，其中：

所述壁是第一壁；

所述芯片包括第二壁；

所述第二壁与所述第一壁相对；

所述第二壁和所述第一壁限定所述芯片中的凹陷区域；以及

所述凹陷区域位于所述第一边缘和所述第二边缘之间。

8.如权利要求7所述的半导体激光器，其中：

所述涂层设置在所述第二壁上；以及

设置在所述第二壁上的所述涂层是所述反射镜的一部分，使得所述反射镜包括两个反射面。

9.如权利要求1所述的半导体激光器，其中所述芯片的所述第一边缘和所述第二边缘是通过切割半导体晶片形成的。

10.如权利要求1所述的半导体激光器，其中所述壁相对于所述第一边缘倾斜。

11.如权利要求1所述的半导体激光器，其中：

所述芯片被粘合到所述平台上；

所述反射器位于所述波导和所述反射镜之间；

所述波导用于将来自所述谐振腔的光路由到所述平台上的另一位置。