[发明专利]高频加热装置

说明书

本公开的高频加热装置具有：加热室(3)，其具有开口部(4)；开口部周缘部(6)，其设置于开口部的周缘；高频产生装置(11)，其向加热室供给高频；以及门(5)，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部周缘部对置的位置具有电波屏蔽部(30)。电波屏蔽部具有：开孔(31)，其与开口部周缘部对置设置；以及轭流槽(32)，其由多个导体(33、34)形成。轭流槽具有：第1谐振空间(80)，其具有第1谐振频率；以及第2谐振空间(81)，其具有与第1谐振频率不同的第2谐振频率。由此，能够提高电波屏蔽性能。

技术领域

本公开涉及微波炉等高频加热装置，尤其涉及具有电波屏蔽部的高频加热装置，该电波屏蔽部对将要从加热室与门之间向外部泄漏的电波(特别是高频的微波)进行屏蔽。

背景技术

以往，作为与用于微波炉的电波屏蔽部相关的最基本思想，提出了在门上形成轭流槽的λ/4阻抗反转方法。

首先，使用附图对第1现有例进行说明。图19是示出作为以往的高频加热装置的微波炉101的外观的立体图。图20是从20-20观察图19的微波炉101中的配置在加热室103与门102之间的电波屏蔽部时的剖视图。

由配设在微波炉101内的加热室103的内部振荡出的高频穿过开口部周缘部105与门102之间的间隙106而欲从图20的右侧向左侧(z方向)传播泄漏，该开口部周缘部105以与门102对置的方式位于加热室103的开口部104的外周。在上述以往的微波炉101中，由导体107形成的轭流槽108配设在门102，轭流槽108的深度L被设定为使用频率的波长λ的1/4(大约31mm)。由此，从轭流槽108的入口部的开孔部109侧观察轭流槽108中时的阻抗Zin为无限大，z方向上的高频发生衰减(例如，参照专利文献1)。

在上述以往的结构中，与开口部周缘部105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106，可称为有利于使开口部周缘部105的宽度(z方向)变小的情况的结构。然而，由于轭流槽108的深度L较深，所以很难使门102的厚度(y方向)变薄，阻碍了微波炉101的小型化。

接着，对第2、第3现有例进行说明。作为用于使轭流槽108的深度L变浅的结构，在专利文献1中提出了图21(第2现有例)、图22(第3现有例)所记载的电波屏蔽部。提出了通过使轭流槽108弯曲而在维持着电波屏蔽性能的同时使轭流槽108的深度L变浅即小型化的方案。

另外，在图21、图22所示的结构中，也通过使从轭流槽108的入口部的开孔109观察轭流槽108中时的阻抗Zin为无限大而使z方向的高频发生衰减，在该点上，电波屏蔽原理与图20所示的结构同样。

在图21所示的结构中，使1张导体110弯折5次而形成死胡同状的轭流槽108。关于该结构，仅通过使1张导体110弯折便能够制作出轭流槽108，因此，因量产性好而被广泛采用。

并且，关于图22所示的结构，将凹状导体111与L字状导体112这两片导体接合而使轭流槽108向加热室103侧弯曲。该结构与图20所示的结构同样，与开口部周缘部105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106，能够使开口部周缘部105的宽度(z方向)变小。

此外，提出了如下的微波炉：如图23所示，在加热室103的内壁面117侧设置有由开口部周缘部105与门102之间的间隙106形成的高频传播路径118，从而提高电波屏蔽性能(例如，参照专利文献2)。

在专利文献2中提出了具有门102的微波炉101，如图23所示，该门102在外周内部设置有将1张导体113弯折4次而形成的轭流槽114。在门102的加热室103侧的外周部内壁115配设有向加热室103侧突出的凸部116。在门102被关闭的状态下，在高频进入到轭流槽114之前的阶段，在凸部116与加热室103的内壁面117之间配设有使高频衰减的高频传播路径118。