[发明专利]膜状粘接剂、半导体加工用片及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种膜状粘接剂，其是固化性的膜状粘接剂，

厚度为60μm的固化前的单层的所述膜状粘接剂、或者将固化前的2层以上的所述膜状粘接剂按照总厚度为60μm的方式层叠而得到的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60％以下，

固化前的所述膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力为300mN/25mm以上。

2.一种半导体加工用片，其在支撑片上设置有权利要求1所述的膜状粘接剂。

3.根据权利要求2所述的半导体加工用片，其中，

所述支撑片是在基材上设置粘合剂层而得到的，

所述膜状粘接剂直接接触地设置于所述粘合剂层上。

4.一种半导体装置的制造方法，其是使用了权利要求1所述的膜状粘接剂的半导体装置的制造方法，该方法包括：

形成层叠结构体的层叠结构体形成工序，所述层叠结构体是在支撑片上设置所述膜状粘接剂，在所述膜状粘接剂的与设置有所述支撑片的一侧相反侧的表面设置分割好的多个半导体芯片而成的；

切断工序，一边将所述层叠结构体的膜状粘接剂冷却，一边在沿着所述膜状粘接剂的表面的方向进行扩片，将膜状粘接剂切断；以及

分离工序，将具备切断后的所述膜状粘接剂的所述半导体芯片从所述支撑片上分离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，该方法在所述层叠结构体形成工序之前进一步具有：

改性层形成工序，聚焦于设定在半导体晶片内部的焦点来照射红外区域的激光，从而在所述半导体晶片的内部形成改性层；

分割工序，在形成了所述改性层的所述半导体晶片中，对用于设置所述膜状粘接剂的面进行磨削，同时对所述半导体晶片施加磨削时的力，在所述改性层的部位将所述半导体晶片分割，从而得到多个半导体芯片，

其中，在所述层叠结构体形成工序中使用在所述分割工序中得到的多个半导体芯片。