[发明专利]存储元件和存储元件的制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

排列在基板上的多个磁阻元件，所述多个磁阻元件具有MTJ结构，

其中，在所述磁阻元件中用作存储层的磁性材料层的、除了用作所述磁阻元件的区域之外的区域中存在磁性被中和的区域，并且

所述磁性被中和的区域包括合金，所述合金包含构成所述磁性材料层的第一元素以及当与第一元素形成合金时具有fcc结构的第二元素。

2.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，第二元素是Ni、Al、Au、Pt或Mn。

3.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，在所述磁性材料层的除了正上方设置有盖层的区域之外的区域中存在所述磁性被中和的区域。

4.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述磁性被中和的区域的导电性低于所述磁性材料层的另一区域的导电性。

5.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，在MTJ结构中，用作存储层的磁性材料层位于比用作磁化固定层的磁性材料层更高的层中。

6.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，在MTJ结构中，用作存储层的磁性材料层位于比用作磁化固定层的磁性材料层更低的层中。

7.一种存储元件的制造方法，包括：

在具有MTJ结构的磁阻元件中用作存储层的磁性材料层的、除了用作所述磁阻元件的区域之外的区域中形成磁性被中和的区域的步骤，

其中形成所述磁性被中和的区域的步骤包括：

将包括第二元素的膜沉积在所述磁性材料层上的预定区域中的步骤，所述第二元素当与构成所述磁性材料层的第一元素形成合金时具有fcc结构，以及

通过进行热处理以使第一元素和第二元素相互扩散并在所述预定区域中形成包含第一元素和第二元素的合金来在所述预定区域中形成所述磁性被中和的区域的步骤。

8.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，

其中，第二元素是Ni、Al、Au、Pt或Mn。

9.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，

其中，在将包括第二元素的膜沉积在所述磁性材料层上的步骤中，在将用作掩膜的层形成在所述磁性材料层上用作所述磁阻元件的区域中之后，沉积包括第二元素的膜。

10.根据权利要求9所述的存储元件的制造方法，

其中，在MTJ结构中，用作存储层的磁性材料层位于比用作磁化固定层的磁性材料层更高的层中，并且

用作掩膜的层是盖层。

11.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，在形成所述磁性被中和的区域的步骤之后还包括：

使所述磁性被中和的区域氧化以使得所述磁性被中和的区域的导电性低于所述磁性材料层的用作存储层的另一区域的导电性的步骤。

12.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，

其中，在MTJ结构中，用作存储层的磁性材料层位于比用作磁化固定层的磁性材料层更高的层中。

13.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，

其中，在MTJ结构中，用作存储层的磁性材料层位于比用作磁化固定层的磁性材料层更低的层中。