[发明专利]摄像装置、摄像装置的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种成像装置，包括像素，所述像素包括：

光电转换元件，其配置为产生电荷；

电容元件，其配置为累积由所述光电转换元件产生的所述电荷；

第一绝缘膜，其位于所述光电转换元件上；

第二绝缘膜；

晶体管，其中所述晶体管的栅极位于所述第二绝缘膜上，

其中所述电容元件包括多个沟槽电容器，所述多个沟槽电容器包括：

第一电极，其处于隔着所述第一绝缘膜与所述光电转换元件垂直重叠的位置处，所述第一电极位于所述第一绝缘膜的整个长度上，

且所述第一电极包括多个第一沟槽；及

多个第二电极，每个所述第二电极的横截面积小于连接到所述像素中的所述晶体管的所述栅极的第一触点，并且每个所述第二电极埋入所述多个第一沟槽中的相应一个第一沟槽中，

所述多个沟槽电容器中的各个所述沟槽电容器包括所述第一电极和所述多个第二电极中的一个第二电极，并且

所述多个沟槽电容器中的两个相邻的所述沟槽电容器之间的距离被设定为等于所述多个第二电极中的各个所述第二电极的直径；

第二触点，其连接至所述第一电极的上表面，所述第一电极隔着所述第二触点连接至所述像素的负电源侧；以及

第三绝缘膜，在所述多个第一沟槽中设置在所述第一电极与每个所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，

所述第一电极位于布线层中，所述布线层与所述光电转换元件的入射表面侧相对设置。

3.根据权利要求2所述的成像装置，其中，

每个所述第二电极连接到所述像素的正电源侧。

4.根据权利要求1所述的成像装置，其中，

所述第一电极设置在其中设置有所述光电转换元件的半导体衬底中。

5.根据权利要求4所述的成像装置，其中，

所述电容元件还包括：

第三电极，包括多个第二沟槽，所述第三电极设置在堆叠在所述半导体衬底中的布线层中与所述第一电极垂直重叠的位置，并且电连接到每个所述第二电极；

多个第四电极，每个所述第四电极的横截面积小于所述第一触点，埋入每个所述第二沟槽中，并且电连接到所述第一电极；及

第四绝缘膜，在每个所述第二沟槽中设置在所述第三电极和所述第四电极之间。

6.根据权利要求1所述的成像装置，其中，

所述第一电极设置在布线层中。

7.根据权利要求6所述的成像装置，还包括：

第三电极，在其中设置有所述光电转换元件的半导体衬底中，设置在与所述第一电极垂直重叠的位置，并且电连接到每个所述第二电极；以及

第四绝缘膜，设置在所述第一电极和所述第二电极之间。

8.根据权利要求1所述的成像装置，其中，

每个所述第二电极面对所述第一电极的部分的总面积大于所述多个第二电极设置在所述第一电极中的区域的面积。

9.根据权利要求1所述的成像装置，其中，

每个所述第一沟槽是通过定向自组装光刻来形成的。

10.一种成像装置的制造方法，所述成像装置是根据权利要求1所述的成像装置，所述方法包括：

第一电极形成步骤：在像素中形成第一电极；

沟槽形成步骤：在所述第一电极中形成多个沟槽，每个沟槽的开口面积小于用于形成连接到所述像素中的晶体管的栅极的触点的沟槽的开口面积；

绝缘膜形成步骤：在每个所述沟槽的内表面上形成绝缘膜；以及

第二电极形成步骤：在每个所述沟槽中掩埋第二电极。

11.根据权利要求10所述的成像装置的制造方法，其中，

在所述第一电极形成步骤中，所述第一电极形成在与所述像素中的所述光电转换元件的入射表面侧相对设置的布线层中，位于与所述光电转换元件垂直重叠的位置处。