[发明专利]中空二氧化硅粒子及其制造方法

权利要求书

1.一种中空二氧化硅粒子的制造方法，其包括下述工序(1)及(2)：

(1)将于有机碱水溶液中溶解二氧化硅而得到的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序；以及

(2)将所述中空二氧化硅前体进行烧成，获得中空二氧化硅粒子的工序，

所述工序(2)中的烧成温度为700℃以上，

中空二氧化硅粒子中的碱金属的合计含量为0.1质量％以下，

所述有机碱为式(I)所表示的季铵盐，

在上述式(I)中，R₁、R₂、R₃及R₄分别独立地为选自碳数1以上且3以下的烷基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。

2.根据权利要求1所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述有机碱水溶液的pH为11以上。

3.根据权利要求1所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述工序(1)包括下述溶解工序：

将二氧化硅混合于有机碱水溶液中，使二氧化硅溶解于有机碱水溶液而制备二氧化硅溶解液。

4.根据权利要求1所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，

所述季铵盐是选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟基乙基)氢氧化铵以及三甲基乙基氢氧化铵中的至少1种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述二氧化硅溶解液中的二氧化硅浓度为2质量％以上且30质量％以下。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述二氧化硅溶解液中的二氧化硅相对于有机碱的摩尔比、即二氧化硅/有机碱为0.5以上。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，在所述工序(1)与所述工序(2)之间，还包括将通过喷雾干燥所获得的中空二氧化硅前体进行空气分级并选择性地回收的空气分级工序。

8.一种中空二氧化硅粒子，其具备形成内部空间的外壳部，且所述外壳部由包含二氧化硅的成分构成，并且

所述外壳部具有闭气孔，

在观察所述外壳部的切断面时，所述闭气孔为针点状，

中空二氧化硅粒子的孔隙率为10％以上且80％以下，

中空二氧化硅粒子中的碱金属的合计含量为0.1质量％以下。

9.一种中空二氧化硅粒子，其具备形成内部空间的外壳部，且所述外壳部由包含二氧化硅的成分构成，并且

所述外壳部具有闭气孔，

所述中空二氧化硅粒子的BET比表面积为20m²/g以下，

中空二氧化硅粒子的孔隙率为10％以上且80％以下，

中空二氧化硅粒子中的碱金属的合计含量为0.1质量％以下。

10.一种中空二氧化硅粒子，其具备形成内部空间的外壳部，且所述外壳部由包含二氧化硅的成分构成，并且

所述中空二氧化硅粒子依次经过以下工序获得：

将于有机碱水溶液中溶解二氧化硅而得到的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序，以及将所述中空二氧化硅前体进行烧成的工序，

所述外壳部具有闭气孔，

中空二氧化硅粒子的孔隙率为10％以上且80％以下，

中空二氧化硅粒子中的碱金属的合计含量为0.1质量％以下，

所述有机碱为式(I)所表示的季铵盐，

在上述式(I)中，R₁、R₂、R₃及R₄分别独立地为选自碳数1以上且3以下的烷基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。

11.根据权利要求10所述的中空二氧化硅粒子，其中，所述有机碱水溶液的pH为11以上。