[发明专利]电路板、半导体装置、摄像装置、固态摄像元件、制造固态摄像元件的方法以及电子设备

说明书

本公开涉及一种抑制特性和产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。形成在衬底表面上的台阶部分以分割状态配置。采用此配置，在光刻工艺中滴落的光致抗蚀剂液体流过分割的台阶部分之间的间隙，使得光致抗蚀剂液体在成像表面上均匀流动，由此可以抑制由于涂布不均匀所致的特性和产量的降低。本公开可以应用于固态图像传感器。

技术领域

本公开涉及一种电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。具体地，本公开涉及一种抑制特性降低并且抑制产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。

背景技术

近年来，已知一种具有分层结构的背照射互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中除其上形成有光电转换器的传感器板以外还准备其上形成有驱动电路的电路板，并且电路板结合到与传感器板的光接收表面相对的表面。

在此CMOS图像传感器中，所述分层结构是通过连接传感器板的布线层的表面和电路板的布线层的表面而形成的。此外，提供用于电连接传感器板和电路板的连接部分。在所述连接部分中，穿透传感器板的半导体层并且连接到传感器板的布线层的导通孔和穿透传感器板并且连接到电路板的布线层的另一个导通孔通过形成在传感器板的半导体层的光接收表面的上部部分上的布线部分彼此连接。此外，对应于每个像素的滤色器和芯片上透镜提供在传感器板的半导体层的光接收表面侧上。

此处，滤色器与光电转换器之间的距离变得越短，灵敏度和颜色混合特性就变得越好。此外，光接收表面侧上半导体层的厚度(垂直于传感器板方向上的长度)优选地较小，以便放松对电路布线和对齐标记的限制、传感器板的应力等等。因此，使布线部分周围的区域的厚度比布线部分薄，并且布线部分在半导体层的光接收表面侧上形成台阶。因此，在形成布线部分之后涂布滤色器的情况下，由于台阶而导致滤色器的涂层不均匀。

此外，对于固态成像装置，例如前照射CMOS图像传感器以及电荷耦合装置(CCD)图像传感器，在布线部分形成在半导体基板上形成像素的区域周围的情况下，以布线部分的厚度大于该区域的厚度的方式形成，由于布线部分的台阶而引起滤色器的涂层不均匀。

鉴于以上内容，已经提出一种技术(参见专利文献1)，其中使成为台阶结构的端部区域的拐角部分具有弯曲形状，作为用于抑制由设置在背照射CMOS图像传感器的成像区域周围的台阶结构而导致的抗蚀剂涂布不均匀(上述涂层不均匀)的方法。

此外，在专利文献1中公开的技术中，拐角部分的形状并不限于弯曲形状，并且还提出通过添加钝角拐角来使拐角部分具有钝角形状或圆角和钝角组合的形状。

此外，已经提出一种技术(参见专利文献2)，其中通过在纵向或横向方向上在仅一个方向上设置穿芯片导通孔(Through Chip Via，TCV)并且减小台阶区域的面积来减少涂布不均匀。

引用列表

专利文献

专利文献1：国际公开号2014/156657

专利文献2：国际公开号2015/133324

发明内容

本发明要解决的问题

顺便提及，堆叠CMOS图像传感器(CIS)包含CIS衬底和逻辑衬底，并且衬底通过称为穿硅导通孔(TSV)的通孔连接。TSV在两个衬底结合和薄化之后形成。TSV主要形成在CIS衬底的成像区域周围的位置处。通过蚀刻钻孔的TSV镀覆有高导电材料，例如Cu。为了防止这些材料在晶片表面上的扩散，TSV覆盖有膜，例如SiON和SiN。

由于对成像区域的分层结构来说是不必要的，因此去除覆盖膜。因此，对应于覆盖膜厚度的台阶结构形成在形成TSV的区域中。由于台阶相邻于成像区域存在，因此在TSV形成工艺之后，在光刻工艺中的抗蚀剂涂布工艺中引起由于台阶结构导致的抗蚀剂涂层不均匀。