[发明专利]光元件、光元件的制造方法及光调制器有效
申请号: | 201780019420.6 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN108885305B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 斋藤裕介;木本龙也 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/136;G02F1/025 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;戚传江 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 制造 方法 调制器 | ||
1.一种光元件,其特征在于,具有:
基板;以及
第一光波导、第二光波导及第三光波导,形成于所述基板上,分别具有下部包层、芯层及上部包层,所述芯层的折射率比所述下部包层和所述上部包层的折射率大,
所述第一光波导与所述第二光波导光学连接,所述第二光波导与所述第三光波导光学连接,
所述第一光波导、第二光波导及第三光波导具有至少所述上部包层及所述芯层的上部形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构,
当将芯高度设为从所述台面结构的两侧的底面或所述台面结构的侧面的倾斜到达所述底面而变得不连续的部位到所述芯层的上表面为止的高度时,所述第三光波导的所述芯高度比所述第一光波导的所述芯高度低,
当将台面宽度设为所述芯层的中央的宽度时,所述第三光波导的所述台面宽度比所述第一光波导的所述台面宽度窄,
所述上部包层位于所述芯层的上方且所述上部包层的宽度与所述芯层的宽度相同,
所述第一光波导、所述第二光波导及所述第三光波导的芯层的厚度相同,
所述第三光波导的芯下深度比所述第一光波导的芯下深度浅,所述芯下深度是指从所述台面结构的光波导中的芯层的下部包层侧的下表面到光波导的凸状部的底面为止的深度。
2.根据权利要求1所述的光元件,其特征在于,
所述光元件还具有第四光波导及第五光波导,该第四光波导及第五光波导形成于所述基板上,分别具有所述下部包层、所述芯层及所述上部包层,
所述第三光波导与所述第四光波导光学连接,所述第四光波导与所述第五光波导光学连接,
所述第四光波导及第五光波导具有至少所述上部包层及所述芯层的上部形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构,
所述第三光波导的所述芯高度比所述第五光波导的所述芯高度低,
所述第三光波导的所述台面宽度比所述第五光波导的所述台面宽度窄。
3.根据权利要求1或2所述的光元件,其特征在于,
所述第一光波导、第二光波导及第三光波导具有所述上部包层、所述芯层及所述下部包层形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构。
4.根据权利要求3所述的光元件,其特征在于,
所述第三光波导的芯下深度为0.3μm以下,所述芯下深度是所述芯高度与所述芯层的厚度的差。
5.根据权利要求1或2所述的光元件,其特征在于,
所述第三光波导的基模的等效折射率大于所述下部包层的折射率,
所述第三光波导的高阶模的等效折射率小于所述基板的折射率。
6.根据权利要求1或2所述的光元件,其特征在于,
所述芯层的厚度为0.2μm以上。
7.一种光调制器,其特征在于,具有:
光波导;
调制部,形成于所述光波导的一部分,对在所述光波导中传导的光的相位进行调制;以及
形成于所述光波导的权利要求1~6中任一项所述的光元件。
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