[发明专利]选择性SiARC去除

权利要求书

1.一种用于选择性去除基板中的含硅抗反射涂层SiARC的集成工艺的方法，所述方法包括：

在处理室中设置基板，所述基板包括：

抗蚀剂层、SiARC、图案转移层以及底层；

执行图案转移处理，其被配置成去除所述抗蚀剂层并且在所述基板上创建结构，所述结构包括所述图案转移层和所述SiARC的一部分；

对所述结构的SiARC执行氮化修改处理，所述氮化修改处理使用氮离子的等离子体并且轰击所述SiARC以在所述SiARC中将所述氮离子注入至注入深度，将所述SiARC转变成具有增加的氮含量的氮化SiARC；以及

执行所述结构的氮化SiARC的去除处理，其中，所述增加的氮含量增加所述SiARC的去除百分比并且增加所述SiARC相对于所述图案转移层和/或所述底层的蚀刻选择性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案转移层包括碳硬掩模CHM层、有机介电层ODL、非晶硅层和/或氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化修改处理还使用在电离等离子体场中的氧离子或氢离子。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化SiARC的去除处理采用干蚀刻处理步骤和湿蚀刻处理步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述干蚀刻处理步骤采用NF₃或H₂等离子体。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述湿蚀刻处理步骤采用稀释的HF或HCl。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化SiARC的去除处理采用干蚀刻处理步骤和第二干蚀刻处理步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二干蚀刻处理步骤采用HF气体。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：选择并控制集成工艺的一个或更多个操作变量，以便满足包括足以基本去除所有的所述SiARC的注入深度的目标集成目的，所述目标集成目的还包括残留物的去除百分比、所述SiARC相对于所述图案转移层的蚀刻选择性、所述SiARC相对于所述底层的蚀刻选择性、对所述底层的损伤程度以及/或者对所述图案转移层的损伤程度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一个或更多个操作变量包括等离子体密度、等离子体离子能量、在所述氮化修改处理和/或所述去除处理中使用的气体的供气流量、蚀刻时间、蚀刻速率、氮化修改处理压力、氮化修改处理温度或偏置功率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，使用控制器来控制所述氮化修改处理和所述去除处理的操作变量中的两个或更多个操作变量，以便满足所述目标集成目的。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述目标集成目的包括：所述SiARC相对于所述图案转移层和/或所述底层的蚀刻选择性在5:1或更高的范围内。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，将所述氮化修改处理压力控制在150毫托至300毫托的范围内。