[发明专利]用于在外部磁场中运行的超导装置

权利要求书

1.一种用于在外部交变磁场中运行的超导装置(1a、1b)，所述超导装置具有两个超导的接触元件(2)和沿相应于从一个接触元件(2)到另一接触元件(2)的电流流动方向的纵向方向连接两个接触元件的电流引导区段(5)，所述电流引导区段具有施加到基底(8)上的超导层，其中，超导层至少部分沿纵向方向借助留空部(4)被分开以形成各个细丝(3)，所述细丝形成传输电流的电流路线，其特征在于，至少两个相邻的细丝(3)通过取消留空部(4)而在基底(8)上形成的交叉区域(6)中被导电地连接，在所述交叉区域处导电地连接四个电流路线，其中，在相邻的细丝(3)的相对于交叉部对置的、沿层平面的纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向错开的电流路线中设置有至少一个，尤其是各一个欧姆电阻屏蔽件(7)。

2.根据权利要求1所述的超导装置(1a、1b)，其特征在于，设置偶数数量的细丝(3)，其中，细丝(3)被分成不相交的、分别包含两个相邻的细丝(3)的细丝组(16)，并且一个细丝组(16)的细丝(3)通过至少一个交叉区域(6)，尤其是奇数数量的交叉区域(6)连接。

3.根据权利要求1或2所述的超导装置(1a、1b)，其特征在于，至少一个电阻屏蔽件(7)的电阻值分别这样选择，即欧姆功率损耗在数值方面小于基于相邻的细丝(3)的耦合而造成的功率损耗的减小。

4.根据权利要求3所述的超导装置(1a、1b)，其特征在于，电阻值通过模拟和/或在模型中计算出和/或通过对测试测量的评估来确定。

5.根据前述权利要求中任一项所述的超导装置(1a、1b)，其特征在于，至少一个电阻屏蔽件(7)通过对层的激光处理和/或机械处理和/或对层的局部掺杂或贫化和/或通过使用局部涂层和/或在基底(8)中的使超导电性弱化的结构来实现。

6.根据前述权利要求中任一项所述的超导装置(1a、1b)，其特征在于，至少一个电阻屏蔽件(7)与各自的交叉区域(6)直接相邻地布置。