[发明专利]具有混合扩散间断隔离沟槽的金属氧化物半导体单元器件架构

权利要求书

1.一种标准单元集成电路，包括：

所述标准单元集成电路的p型金属氧化物半导体MOS pMOS区中的多个pMOS晶体管，所述pMOS区在第一单元边缘和与所述第一单元边缘相对的第二单元边缘之间延伸；

所述标准单元集成电路的n型MOS nMOS区中的多个nMOS晶体管，所述nMOS区在所述第一单元边缘和所述第二单元边缘之间延伸；

至少一个单扩散间断，其位于所述第一单元边缘与所述第二单元边缘之间的内部区域中且跨所述pMOS区和所述nMOS区延伸以将所述pMOS区分隔成pMOS子区以及将所述nMOS区分隔成nMOS子区；

在所述第一单元边缘处并且在沿所述第一单元边缘定位的第一虚设栅极互连之下延伸的第一双扩散间断部分；以及

在所述第二单元边缘处并且在沿所述第二单元边缘定位的第二虚设栅极互连之下延伸的第二双扩散间断部分。

2.如权利要求1所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述标准单元集成电路具有n个网格和n*p的宽度，所述网格之间的节距为p，所述网格跨所述pMOS区和所述nMOS区延伸，并且其中：

所述至少一个单扩散间断中的每一者沿所述n个网格之中位于所述内部区域中的一个不同网格延伸，

所述第一双扩散间断部分在所述第一单元边缘与位于离所述第一单元边缘p/2的第一网格之间沿所述第一单元边缘延伸，并且

所述第二双扩散间断部分在所述第二单元边缘与位于离所述第二单元边缘p/2的第二网格之间沿所述第二单元边缘延伸。

3.如权利要求2所述的标准单元集成电路，其特征在于，用于所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管的栅极互连沿所述n个网格的子集延伸。

4.如权利要求3所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述栅极互连具有宽度g，所述至少一个单扩散间断中的每一者具有g的宽度，并且所述第一双扩散间断部分和所述第二双扩散间断部分中的每一者具有p/2的宽度，其中p大于g。

5.如权利要求1所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述至少一个单扩散间断中的每一者、所述第一双扩散间断部分、以及所述第二双扩散间断部分包括浅沟槽隔离STI区。

6.如权利要求5所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述第一双扩散间断部分和所述第二双扩散间断部分的每个STI区的深度大于所述至少一个单扩散间断的每个STI区的深度。

7.如权利要求1所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述第一双扩散间断部分和所述第二双扩散间断部分中的每一者为完整双扩散间断的宽度的一半。

8.如权利要求1所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述多个pMOS晶体管包括第一pMOS晶体管子集和第二pMOS晶体管子集，所述多个nMOS晶体管包括第一nMOS晶体管子集和第二nMOS晶体管子集，所述第一pMOS晶体管子集和所述第一nMOS晶体管子集提供第一逻辑功能性，所述第二pMOS晶体管子集和所述第二nMOS晶体管子集提供第二逻辑功能性，所述第一逻辑功能性和所述第二逻辑功能性被内部节点分隔开，并且所述至少一个单扩散间断中的一个单扩散间断在所述内部节点处将用于所述第一逻辑功能性和所述第二逻辑功能性的扩散区隔离开。

9.如权利要求8所述的标准单元集成电路，其特征在于，所述第一逻辑功能性向所述第二逻辑功能性输出，所述第二逻辑功能性具有输出节点，并且所述输出节点毗邻所述第一单元边缘或所述第二单元边缘中的一者。