[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

说明书

本发明涉及一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在所述保护膜形成用膜中，至少一侧的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。优选所述表面(α)的表面粗糙度(Ra)为2.0μm以下。

技术领域

本发明涉及保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。

本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092097号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面相反侧的背面有时会露出。

在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。

作为这样的保护膜或粘合膜的形成材料，提出了各种各样的树脂膜形成用片。

例如，在专利文献1中，公开了一种芯片保护用膜，其具有以两片剥离片夹持含有能量射线固化型膜形成成分的构成，所述能量射线固化型膜形成成分含有由丙烯酸类共聚物组成的聚合物成分、能量射线固化成分、染料或颜料、无机填充剂及光聚合引发剂。根据专利文献1的记载，该芯片保护用膜可通过能量射线的照射而形成激光标记辨识性、硬度及与晶圆的密着性得到提高的保护膜，与以往的芯片保护用膜相比可简化工序。

此外，在专利文献2中公开了一种切割胶带一体型晶圆背面保护膜，其包括：具有基材及粘着剂的切割胶带；在该切割胶带的粘着剂层上进行着色且具有规定弹性模量的晶圆背面保护膜。

根据专利文献2的记载，该晶圆背面保护膜在半导体晶圆的切割工序中可发挥与半导体晶圆的优异保持力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-138026号公报

专利文献2：日本特开2010-199543号公报

然而，在专利文献1及2中公开的将保护膜贴附于晶圆上的工序中，产生保护膜的贴附位置的错位、或在未发现晶圆上的异物而直接以包含异物的方式贴附保护膜时，难以剥离保护膜而对晶圆进行再加工。

专利文献1及2中公开的保护膜以提高贴附时的与晶圆的密着性、或贴附后的与晶圆的保持力为目的，因此暂时贴附于晶圆上时，由于与晶圆的密着性高，因此在再加工性上存在问题。若将已贴附于晶圆上的保护膜强行剥离，则存在晶圆因剥离力而破损、或保护膜的一部分残留在晶圆上的情况。因此，难以对已与保护膜贴附的晶圆进行再利用。

即，专利文献1及2中，虽然从贴附时的与晶圆的密着性、及贴附时的与晶圆的保持力的角度对所记载的保护膜进行了研究，但完全没有对保护膜的再加工性进行研究。

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种再加工性优异的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。

解决技术问题的技术手段

为了解决上述技术问题，本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在所述保护膜形成用膜中，至少一侧的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。

在本发明的保护膜形成用膜中，优选所述表面(α)的表面粗糙度(Ra)为2.0μm以下。