[发明专利]对被处理物进行处理的方法

权利要求书

1.一种对被处理物进行处理的方法，其中，所述被处理物具备被蚀刻层和设置在该被蚀刻层上的第1掩膜，该方法通过重复执行第1序列，并除去所述被蚀刻层的表面的原子层，从而对该被蚀刻层进行蚀刻，该第1序列包括：第1工序，通过在收容有所述被处理物的等离子体处理装置的处理容器内产生等离子体并对设置于该处理容器的平行平板电极的上部电极施加负的直流电压，从而对所述第1掩膜照射二次电子、并且从由该上部电极具备且含有硅的电极板释放硅而用包含该硅的氧化硅化合物覆盖该第1掩膜；第2工序，在执行所述第1工序之后，在所述处理容器内生成第1气体的等离子体，且在所述被蚀刻层的表面的原子层形成含有该等离子体所包含的自由基的混合层；第3工序，在执行所述第2工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；第4工序，在执行所述第3工序之后，在所述处理容器内生成第2气体的等离子体，对该等离子体施加偏置电压而除去所述混合层；及第5工序，在执行所述第4工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第1气体包含氟碳系气体和稀有气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第2气体为稀有气体。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在执行所述第1序列之前，还具备形成所述第1掩膜的工序，形成所述第1掩膜的所述工序具备第6工序和第7工序，在该第6工序和该第7工序中，对设置在所述被蚀刻层上的有机膜和设置在该有机膜上的防反射膜使用设置在该防反射膜上的第2掩膜进行蚀刻处理，由此形成所述第1掩膜，所述第6工序中，对所述防反射膜进行蚀刻，所述第7工序中，在执行所述第6工序之后，对所述有机膜进行蚀刻，所述第1掩膜通过执行所述第6工序及所述第7工序而形成，且由所述防反射膜及所述有机膜形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第6工序具备如下工序：在所述处理容器内，在所述第2掩膜的表面共形地形成保护膜；及在执行共形地形成所述保护膜的所述工序之后，使用形成有该保护膜的所述第2掩膜，通过在所述处理容器内产生的等离子体除去所述防反射膜的表面的原子层，并对该防反射膜进行蚀刻。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第6工序还具备如下工序：在执行共形地形成所述保护膜的所述工序之前，在所述处理容器内产生等离子体并对设置于所述处理容器的上部电极施加负的直流电压，由此对所述第2掩膜照射二次电子。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述第2掩膜照射二次电子的所述工序中，通过在所述处理容器内产生等离子体并对所述上部电极施加负的直流电压，由此从所述电极板释放硅而用包含该硅的氧化硅化合物覆盖所述第2掩膜。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中，共形地形成所述保护膜的所述工序通过重复执行第2序列，在所述第2掩膜的所述表面共形地形成所述保护膜，该第2序列包括：第8工序，向所述处理容器内供给第3气体；第9工序，在执行所述第8工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；第10工序，在执行所述第9工序之后，在所述处理容器内生成第4气体的等离子体；及第11工序，在执行所述第10工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫，其中，在所述第8工序中未生成所述第3气体的等离子体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第3气体包含含有有机物的氨基硅烷系气体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第3气体的氨基硅烷系气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述第3气体的氨基硅烷系气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第4气体包含含有氧原子及碳原子的气体。