[发明专利]对被处理物进行处理的方法

权利要求书

1.一种对被处理物进行处理的方法，其中，

所述被处理物具备被蚀刻层、设置在该被蚀刻层上的有机膜、设置在该有机膜上的防反射膜及设置在该防反射膜上的第1掩膜，

该方法具备：

在收容有所述被处理物的等离子体处理装置的处理容器内，在所述第1掩膜的表面保形地形成保护膜的工序；及

在执行完保形地形成所述保护膜的所述工序之后，使用形成有该保护膜的所述第1掩膜，通过在所述处理容器内产生的等离子体按原子层去除所述防反射膜，并对该防反射膜进行蚀刻的工序。

2.根据权利要求1所述的方法，其还具备如下工序：在执行保形地形成所述保护膜的所述工序之前，在所述处理容器内产生等离子体并对设置在所述处理容器的平行平板电极的上部电极施加负的直流电压，由此对所述第1掩膜照射二次电子。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述上部电极的电极板含有硅，

在对所述第1掩膜照射二次电子的所述工序中，在所述处理容器内产生等离子体并对所述上部电极施加负的直流电压，由此从所述电极板释放硅并用包含该硅的氧化硅化合物覆盖所述第1掩膜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，

保形地形成所述保护膜的所述工序通过重复执行第1序列而在所述第1掩膜的所述表面保形地形成所述保护膜，该第1序列包括：

第1工序，向所述处理容器内供给第1气体；

第2工序，在执行完所述第1工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；

第3工序，在执行完所述第2工序之后，在所述处理容器内生成第2气体的等离子体；及

第4工序，在执行完所述第3工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；

所述第1工序中未生成所述第1气体的等离子体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第1气体包含氨基硅烷系气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述第1气体的氨基硅烷系气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述第1气体的氨基硅烷系气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第2气体包含含有氧原子及碳原子的气体。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，

对所述防反射膜进行蚀刻的所述工序通过重复执行第2序列，并按原子层去除所述防反射膜而对该防反射膜进行蚀刻，该第2序列包括：

第5工序，在执行完保形地形成所述保护膜的所述工序之后，在所述处理容器内生成第3气体的等离子体，并在所述防反射膜的表面的原子层形成含有该等离子体所包含的自由基的混合层；

第6工序，在执行完所述第5工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；

第7工序，在执行完所述第6工序之后，在所述处理容器内生成第4气体的等离子体，并对该等离子体施加偏置电压而去除所述混合层；及

第8工序，在执行完所述第7工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述第3气体包含氟碳系气体和稀有气体。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述第4气体包含稀有气体。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其还包括如下工序，在执行完对所述防反射膜进行蚀刻的所述工序之后，通过在所述处理容器内产生的等离子体，并使用第2掩膜对所述有机膜进行蚀刻处理，

所述第2掩膜在对所述防反射膜进行蚀刻的所述工序中，由所述第1掩膜和该防反射膜形成。