[发明专利]中子栅格、中子栅格层叠体、中子栅格装置及中子栅格的制造方法

权利要求书

1.一种中子栅格，其具备：

栅格部，所述栅格部具有使透过对象物的第1中子的至少一部分透过的多个间隔物和将被所述对象物散射的第2中子的至少一部分吸收的多个吸收体，所述间隔物及所述吸收体沿着第1方向交替地排列且沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸；和

一对覆盖材，所述一对覆盖材沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向来夹持所述栅格部且使所述第1中子的至少一部分及所述第2中子的至少一部分透过，

其中，所述间隔物包含选自Si、Al₂O₃、AlN、SiC及Y₂O₃中的至少1种和W，

所述吸收体包含Ta或者包含选自B、Gd、Sm、Li、Cd、Gd₂O₃及¹⁰B₄C中的至少1种和Ta，

所述覆盖材包含Al或者包含选自W、Pb及Bi中的至少1者和Al，

所述间隔物与所述吸收体之间的热膨胀系数差为±9×10^-6/℃以内；或者所述间隔物的杨氏模量为100GPa以上。

2.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述热膨胀系数差为±9×10^-6/℃以内并且所述间隔物的杨氏模量为100GPa以上。

3.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述第1及第2中子包含热中子。

4.根据权利要求3所述的中子栅格，其中，所述吸收体的热中子质量衰减系数为所述间隔物的热中子质量衰减系数的100倍以上。

5.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述第1方向上的所述吸收体的宽度为0.01μm～30μm。

6.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述第1方向上的所述吸收体的宽度为100μm～500μm。

7.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述多个间隔物及所述多个吸收体中的至少一者沿着所述第1中子的入射方向延伸。

8.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述多个间隔物及所述多个吸收体中的至少一者从所述一对覆盖材中的一个朝向另一个彼此平行地延伸。

9.根据权利要求1所述的中子栅格，其中，所述多个间隔物及所述多个吸收体中的至少一者按照彼此的间隔从所述一对覆盖材中的一个朝向另一个发生扩展的方式延伸。

10.一种中子栅格层叠体，其具备：

第1中子栅格，该第1中子栅格由权利要求1所述的中子栅格制成；和

第2中子栅格，该第2中子栅格由权利要求1所述的中子栅格制成且层叠于所述第1中子栅格上。

11.一种中子栅格装置，其具备：

权利要求1所述的中子栅格；和

用于使所述中子栅格的中心轴的轴向与所述第1中子的入射方向一致的控制装置。

12.权利要求1所述的中子栅格的制造方法，其具备下述工序：

利用蒸镀法、沉降法或印刷法在所述间隔物的表面形成所述吸收体的工序；

将所述间隔物及所述吸收体沿着所述第1方向进行排列来形成所述栅格部的工序；和

沿着所述第3方向利用所述一对覆盖材来夹持所述栅格部的工序。