[发明专利]高频多层互连衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种高频多层互连衬底，其包括：

中间衬底，其中在由玻璃陶瓷组成的中间绝缘层之间或在所述中间绝缘层的表面上形成预定图案的内部导体层；

中间通孔导体，其穿透所述中间绝缘层并将存在于不同层间位置的所述内部导体层彼此连接；

表面绝缘层，其由整体形成在所述中间衬底的至少一个表面上的有机材料组成；及

外侧通孔导体，其穿透所述表面绝缘层，其中：

所述外侧通孔导体由与所述内部导体层或所述中间通孔导体整体烧结的烧结金属构成；且

所述表面绝缘层的相对介电常数低于所述中间绝缘层的相对介电常数。

2.根据权利要求1所述的高频多层互连衬底，其中所述外侧通孔导体的最窄部分与最宽部分之间的倾斜比为10％或更小。

3.根据权利要求1或2所述的高频多层互连衬底，其中在所述中间衬底与所述表面绝缘层之间的界面处所述中间衬底的表面粗糙度Ra在0.1μm≦Ra≦1.0μm的范围内。

4.根据权利要求3所述的高频多层互连衬底，其中所述中间衬底与所述表面绝缘层之间的所述界面处所述中间衬底的最外层中的陶瓷填料的平均颗粒大小D50为0.2μm≦D50≦5.0μm。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的高频多层互连衬底，其中所述表面绝缘层的所述相对介电常数为2或更大以及4或更小。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的高频多层互连衬底，其中所述中间衬底为低温烧结的玻璃陶瓷衬底。

7.一种制造根据权利要求1到6中任一权利要求所述的高频多层互连衬底的方法，其包括：

准备用于收缩抑制的生片，其中将成为外侧通孔导体的导电膏以预定图案嵌入以便穿透表面及背面；

在将成为中间衬底的生片堆叠体的两面上分别堆叠所述用于收缩抑制的生片；

将所述生片堆叠体与所述用于收缩抑制的生片一起烧制；

将所述用于收缩抑制的所烧制生片移除，其中在所述所烧制生片堆叠体的所述表面上留下由所述所烧制导电膏组成的所述外侧通孔导体以形成具有外侧通孔导体的中间衬底；及

在具有所述外侧通孔导体的所述中间衬底的表面上形成由有机材料组成的表面绝缘层。