[发明专利]通过层转移进行LC过滤器层堆叠以制作3D复用器结构在审

专利信息
申请号: 201780020388.3 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN108886350A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: C·H·尹;D·F·伯蒂;C·左;D·D·金;M·F·维纶茨;N·S·慕达卡特;R·P·米库尔卡 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03H7/46 分类号: H03H7/46
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 复用器结构 电容器 螺旋电感器 堆叠 滤波器 第一电容器 过滤器层 电感器 可通信 通过层 耦合到 二维 三维 制作
【权利要求书】:

1.一种三维(3D)复用器结构,包括:

第一二维(2D)电感器电容器(LC)滤波器层,其包括第一2D螺旋电感器和至少一个第一电容器;以及

第二2D LC滤波器层,其包括第二2D螺旋电感器和至少一个第二电容器,所述第二2DLC滤波器层直接堆叠在所述第一2D LC滤波器上并且可通信地耦合到所述第一2D LC滤波器。

2.如权利要求1所述的3D复用器结构,其特征在于,所述第二2D螺旋电感器包括铜迹线。

3.如权利要求1所述的3D复用器结构,其特征在于,所述第一2D LC滤波器包括高频带滤波器,而所述第二2D LC滤波器包括低频带滤波器。

4.如权利要求3所述的3D复用器结构,其特征在于,进一步包括耦合到所述高频带滤波器的导电凸块的中频带滤波器。

5.如权利要求3所述的3D复用器结构,其特征在于,所述3D复用器结构的包括所述低频带滤波器的一侧是所述3D复用器结构的远离系统板的背侧。

6.如权利要求1所述的3D堆叠式复用器结构,其特征在于,所述第一2DLC滤波器层和所述第二2D LC滤波器层被堆叠以将所述第一2D螺旋电感器布置成远离所述第二2D螺旋电感器。

7.如权利要求1所述的3D堆叠式复用器结构,其特征在于,所述第一2DLC滤波器层和所述第二2D LC滤波器层背对背、背对面、面对背、或面对面地堆叠。

8.如权利要求1所述的3D堆叠式复用器结构,其特征在于,所述3D堆叠式复用器结构被集成到射频(RF)前端模块中,所述RF前端模块被纳入到以下至少一者中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、移动电话以及便携式计算机。

9.一种构造三维(3D)复用器结构的方法,包括:

在基板上制造第一二维(2D)电感器电容器(LC)滤波器层,其包括第一2D螺旋电感器和至少一个第一电容器;

在所述基板上制造第二LC滤波器层,其包括第二2D螺旋电感器和至少一个第二电容器;

从所述第一2D LC滤波器层和所述第二2D LC滤波器层移除所述基板;以及

直接在所述第一2D LC滤波器上堆叠所述第二2D LC滤波器。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,使用双侧印刷工艺直接在无源基板面板的第一表面上制造所述第一2D LC滤波器并且直接在所述无源基板面板的第二表面上制造所述第二2D LC滤波器,所述第二表面与所述第一表面相对。

11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,直接在无源基板面板的表面上与所述第二2D LC滤波器并排地制造所述第一2D LC滤波器。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,直接在所述第一2D LC滤波器上堆叠所述第二2D LC滤波器包括:

将所述无源基板面板从与所述第二2D LC滤波器并排地制造的所述第一2D LC滤波器剥离;以及

根据所述第一2D LC滤波器和所述第二2D LC滤波器的背对背集成来将所述第二2D LC滤波器的背侧叠到所述第一2D LC滤波器的背侧上。

13.如权利要求9所述的方法,其特征在于,移除所述基板包括使用蚀刻工艺或机械剥离工艺来移除所述第一2D LC滤波器和所述第二2D LC滤波器。

14.如权利要求9所述的方法,其特征在于,使用第一工艺来制造所述第一2D LC滤波器,并且使用与所述第一工艺不同的第二工艺来制造所述第二2D LC滤波器。

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