[发明专利]用于制造ReRAM存储器的层的方法和离子植入机的应用

权利要求书

1.用于制造ReRAM存储器的层的方法，其中将至少一个TMO层（1）涂覆到下电极（1）上，

其特征在于，

借助于离子植入方法将外来原子植入到至少一个TMO层中。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

涂覆如下TMO层，所述TMO层由如下组的成分组成，该组由如下成分组成：氧化铪、氧化钨、氧化铝、氮氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化镍、氧化铌、氧化镁、氧化钴、氧化锗、氧化钼、氧化硅、氮化硅、氧化锡、氧化锆、氧化铈、氧化锌、氧化铜、钛酸锶。

3.根据权利要求2所述的方法，

其特征在于，

涂覆如下TMO层，所述TMO层由如下组的成分组成，该组由如下成分组成：Al₂O₃、HfO_x、HfO₂、HfO、HfO_xN_y、Hf_nO_x、W₂O₃、WO₃、TiO_x、TiO₂、Ti₂O₃、TaO_x、Ta₂O₅、TaON、NiO、Nb₂O₅、MgO、CoO、W_nO_x、Ti_nO_x、Ta_nO_x、SnO₂、Zr_xO_y、ZrO、GeOx、CeO₂、ZnO、WO、CuO₂、SrTiO₃、MoO、AlO_xN_y、Al_nO_x、Si_xN_y。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，

其特征在于，

所述TMO层借助于反应性PVD方法、反应性ALD方法或者反应性CVD方法来涂覆。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法，

其特征在于，

具有在1.5nm至40nm之间的层厚度的TMO层被涂覆。

6.根据权利要求5所述的方法，

其特征在于，

具有在1.5nm至10nm之间的层厚度的TMO层被涂覆。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，

其特征在于，

利用植入方法引入到所述TMO层中的元素是来自如下组的至少一个成分，所述组由如下成分组成：氧、氮、Li、Be、B、C、F、Ne、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl和Ar。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法，

其特征在于，

将所植入的外来原子以在0.5keV与200keV之间的范围内的能量引入到所述TMO层中。

9.根据权利要求1至8之一所述的方法，

其特征在于，

使用离子植入机、例如离子枪，其中射出的离子通过离子光学系统被引导到所述TMO层上。

10.根据权利要求9所述的方法，

其特征在于，

从所述离子植入机或所述离子枪中射出的离子在进入到所述TMO层中之前至少部分地被中和。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，

其特征在于，

被引入到TMO层中的外来原子至少在所述TMO层的层厚度的一部分内穿透到所述TMO层中。