[发明专利]簇射头及真空处理装置有效
申请号: | 201780020497.5 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN108885994B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 神保洋介;山本良明;茶谷宏纪;西方靖;菊池亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/3065;H01L21/318;H05H1/46 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;刘继富 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 簇射头 真空 处理 装置 | ||
1.一种簇射头,具有:
头主体,其具有内部空间;
簇射板,其构成为具有与所述内部空间连通的多个气体喷射口、从所述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、以及配置在所述气体喷射面的多个孔部,且所述多个孔部的平面形状为圆状、矩形状或椭圆状,所述多个孔部的表面积从所述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大,
所述多个孔部以不与所述多个气体喷射口重叠的方式配置在气体喷射面,且所述多个孔部未贯穿所述簇射板。
2.根据权利要求1所述的簇射头,其中,
所述气体喷射面具有中心区域、和相对于所述中心区域呈同心状配置且包围所述中心区域的多个区域,
在彼此相邻的两个所述区域中,配置在与所述中心区域相反一侧的所述区域的所述多个孔部各自的表面积比配置在所述中心区域一侧的所述区域的所述多个孔部各自的表面积大。
3.根据权利要求2所述的簇射头,其中,
配置在与所述中心区域相反一侧的所述区域的所述多个孔部各自的内径与配置在所述中心区域一侧的所述区域的所述多个孔部各自的内径相同。
4.根据权利要求2或3所述的簇射头,其中,
配置在与所述中心区域相反一侧的所述区域的所述多个孔部各自的深度比配置在所述中心区域一侧的所述区域的所述多个孔部各自的深度深。
5.根据权利要求2或3所述的簇射头,其中,
所述中心区域还具有多个孔部,
配置在所述中心区域的所述多个孔部各自的表面积比配置在与所述中心区域相邻的所述区域的所述多个孔部各自的表面积小。
6.根据权利要求2或3所述的簇射头,其中,
所述中心区域相反一侧的所述区域与所述中心区域一侧的所述区域相邻,
配置在与所述中心区域相反一侧的所述区域的所述多个孔部的一部分配置在所述中心区域一侧的所述区域,
配置在所述中心区域一侧的所述区域的所述多个孔部的一部分配置在与所述中心区域相反一侧的所述区域。
7.一种真空处理装置,具有:
真空槽,其能够维持负压状态;
簇射头,其具有头主体和簇射板,所述头主体具有内部空间,所述簇射板构成为包含与所述内部空间连通的多个气体喷射口、从所述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、以及配置在所述气体喷射面的多个孔部,且所述多个孔部的平面形状为圆状、矩形状或椭圆状,所述多个孔部的表面积从中心呈放射状阶段性增大;以及,
支承台,其与所述簇射头相向,能够支承基板,
所述多个孔部以不与所述多个气体喷射口重叠的方式配置在气体喷射面,且所述多个孔部未贯穿所述簇射板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造