[发明专利]用于光子集成电路中的激光器对准技术在审
| 申请号： | 201780020561.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN109075525A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 雷·海明威;克里斯蒂安·斯塔加雷斯库;丹尼尔·梅罗维奇;马尔科姆·R·格林;沃尔夫冈·帕尔兹;日基·马;理查德·罗伯特·格日博夫斯基;纳森·比克尔 | 申请（专利权）人： | 镁可微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/02;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杨林森 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 配合表面 半导体激光器 光子集成电路 激光器 基板 对准 基板对准 维度 配置 | ||
1.一种光子集成电路(PIC)，包括：
半导体激光器，其包括激光器配合表面；以及
基板，其包括基板配合表面，
其中，所述激光器配合表面的形状和所述基板配合表面的形状被配置成在三个维度上将所述半导体激光器与所述基板对准。
2.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述激光器配合表面的形状和所述基板配合表面的形状被配置成当向所述半导体激光器施加外力时将所述半导体激光器与所述基板对准。
3.根据权利要求2所述的PIC，其中，所述激光器配合表面的边缘被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时接触所述基板配合表面。
4.根据权利要求3所述的PIC，其中，所述基板的后壁被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时接触所述半导体激光器的后部部分，并且所述基板的侧壁被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时接触所述半导体激光器的侧表面。
5.根据权利要求4所述的PIC，其中，所述半导体激光器的侧表面的一部分被配置成当将所述半导体激光器与所述基板对准时位于所述基板的间隙部分上方。
6.根据权利要求2所述的PIC，其中，在从所述半导体激光器朝向所述基板的方向上施加所述外力。
7.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述激光器配合表面的形状是三角形或梯形。
8.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述基板配合表面的形状是三角形、梯形、正方形或矩形。
9.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述激光器配合表面的第一边缘接触所述基板配合表面，并且所述激光器配合表面的第二边缘不接触所述基板配合表面。
10.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述基板配合表面包括弯曲边缘，其中，所述弯曲边缘被配置成在将所述半导体激光器与所述基板对准期间散布施加到所述半导体激光器的外力。
11.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述基板包括波导并且所述半导体激光器包括激光器端面，并且其中，所述波导被配置成接收离开所述激光器端面的激光束。
12.根据权利要求11所述的PIC，其中，所述激光器端面成角度并且所述波导的引导边缘成角度，并且其中，所述激光器端面的角度和所述波导的所述引导边缘的角度被配置成减少所述激光束从所述波导背反射到所述激光器端面中。
13.根据权利要求12所述的PIC，其中，所述激光器端面和所述波导的所述引导边缘在相同方向上成角度。
14.根据权利要求12所述的PIC，其中，所述激光器端面在竖直方向或水平方向上成角度。
15.根据权利要求1所述的PIC，其中，所述半导体激光器包括被配置成与所述基板形成电连接的接触表面，并且
所述基板还包括被配置成容纳所述半导体激光器的着陆区域，所述着陆区域包括：
所述基板配合表面；以及
接触垫，其被配置成电连接至所述半导体激光器的所述接触表面。
16.根据权利要求15所述的PIC，其中，焊料位于所述接触垫与所述半导体激光器的所述接触表面之间。
17.根据权利要求15所述的PIC，其中，所述着陆区域还包括：
焊料层，其位于所述接触垫上；以及
溢流区域，其被配置成从位于所述接触垫上的所述焊料层接收焊料。
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