[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

说明书

本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性，在照射能量射线而制成保护膜时，保护膜的拉伸弹性模量为1×10supgt;8/supgt;Pa以上。保护膜形成用复合片具有支撑片、并在支撑片上具有该保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。

技术领域

本发明涉及保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。

本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092015号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面相反侧的背面有时会露出。

在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。

为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。

作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时，例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片。然后，保持贴附有该保护膜的状态，将半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取。另外，有时也以与上述相反的顺序进行保护膜形成用膜的固化与切割。

然而，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如，已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。

另一方面，通常半导体晶圆的作为保护膜形成用膜的贴附对象的背面受到研磨，以使厚度成为目标值的方式进行调节。其结果，半导体芯片在背面具有该研磨的痕迹(研磨痕)。对此，要求保护膜以无法目视确认到半导体芯片的该背面的研磨痕的方式提高半导体芯片的外观。

进一步，通常在保护膜的与贴附于半导体晶圆或半导体芯片的面相反侧的面(换而言之，面向支撑片的面)上，通过激光的照射进行印字(在本说明书中，有时称作“激光印字”)。并且，有时还要求保护膜的印字可视性优异。当保护膜形成用膜为能量射线固化性时，有时还在保护膜形成用膜的阶段而非保护膜的阶段进行激光印字。

由此，为了提高半导体芯片的外观、并使实施在其自身上的印字的可视性优异，保护膜及保护膜形成用膜通常含有着色剂。

然而，在对含有着色剂的保护膜形成用膜照射能量射线而形成保护膜时，所照射的能量射线受到着色剂的影响，难以到达靠近保护膜形成用膜的对半导体晶圆或半导体芯片的贴附面的区域。其结果，典型的有：所形成的保护膜的能量射线的照射源侧、即靠近面向支撑片的面的区域的固化度高，其相反侧、即靠近对半导体晶圆或半导体芯片的贴附面的区域的固化度降低。若在如上所述的保护膜的厚度方向上产生固化度的不同，则在以推针上推的方式从支撑片分离该带保护膜的半导体芯片，进行拾取时，在面向保护膜的支撑片的面上，残留有推针上推的痕迹。若这样的上推痕迹残留，则在同一面上实施的激光印字的视认性有时会降低。