[发明专利]垂直SiC-MOSFET

权利要求书

1.一种垂直SiC-MOSFET(20)，其具有源极连接端(2)、漏极连接端(4)和栅极区域(36)并且具有布置在所述源极连接端(2)与所述漏极连接端(4)之间的、具有第一类型的掺杂的外延层(22)，其中，水平延伸的中间层(24)嵌入到所述外延层(22)中，所述中间层不仅具有具有第一类型的掺杂的区域而且具有具有与第一类型的掺杂不同的第二类型的掺杂的区域(40)，其特征在于，至少具有第二类型的掺杂的区域(40)与所述源极连接端(2)导电连接，其中，所述中间层(24)的具有第一类型的掺杂的区域的掺杂浓度大于所述外延层(22)的掺杂浓度，并且所述中间层(24)的具有第二类型的掺杂的区域的掺杂浓度大于所述中间层(24)的具有第一类型的掺杂的区域的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，当电压小于或等于所述SiC-MOSFET(20)的截止电压时，不完全腾空具有第二类型的掺杂的区域(40)，使得在所述具有第二类型的掺杂的区域(40)中存在近似中性的区域。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述中间层(24)完全布置在所述栅极区域(36)之下。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述中间层(24)与所述外延层(22)一起功能性地构成截止层场效应晶体管。

5.根据权利要求4所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述截止层场效应晶体管的夹断电压处于1V至所述SiC-MOSFET(20)的击穿电压的50％之间的范围中。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，具有相比于所述外延层(22)更强的第一类型的掺杂的过渡层(50.1，50.2)垂直地在所述源极连接端(2)的方向上和/或在所述漏极连接端(4)的方向上邻接所述中间层(24)。

7.根据权利要求6所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，具有相比于所述外延层(22)更强的第一类型的掺杂的另一过渡层(50.3)垂直地在所述源极连接端(2)的方向上邻接所述外延层(22)。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述外延层的布置在所述源极连接端(2)与所述中间层(24)之间的上部分(22.1)相比所述外延层的布置在所述中间层(24)与所述漏极连接端(4)之间的下部分(22.2)具有更高的第一类型的掺杂。

9.根据权利要求1至2中任一项所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，具有与所述外延层(22)相比更强的第一类型的掺杂的过渡区域(52)垂直地在所述源极连接端(2)的方向上和/或在所述漏极连接端(4)的方向上邻接所述中间层(24)的具有第一类型的掺杂的区域(42)，其中，所述外延层(22)至少部分地邻接所述中间层(24)的具有第二类型的掺杂的区域(40)。

10.根据权利要求1至2中任一项所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述中间层(24)的具有第一类型的掺杂的区域(42)具有双节漏斗形的轮廓或沙漏形的轮廓。

11.根据权利要求4所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述截止层场效应晶体管的通道和所述MOSFET的通道彼此垂直地布置。

12.根据权利要求4所述的垂直SiC-MOSFET(20)，其中，所述截止层场效应晶体管与所述MOSFET串联地电连接。