[发明专利]用于三维存储器阵列的热绝缘

说明书

本申请案涉及用于三维存储器阵列的热绝缘。描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换，所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温，从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应，存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。

交叉参考

本专利申请案主张2017年3月17日申请的标题为“用于三维存储器阵列的热绝缘(Thermal Insulation for Three-Dimensional Memory Arrays)”的第PCT/US2017/022984号PCT申请案的优先权，第PCT/US2017/022984号PCT申请案主张由凡蒂尼(Fantini)在2016年4月1日申请的标题为“用于三维存储器阵列的热绝缘(Thermal Insulation forThree-Dimensional Memory Arrays)”的第15/088,475号美国专利申请案的优先权，所述案中的每一者转让给本案受让人且所述案中的每一者的全部内容以引用的方式明确并入本文中。

技术领域涉及用于三维存储器阵列的热绝缘。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置且更具体来说涉及用于三维存储器阵列的热绝缘。

存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。例如，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储的状态。为存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在多个类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性。即使无外部电源，非易失性存储器(例如PCM)仍可维持其存储逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如DRAM)可随时间失去其存储状态，除非其由外部电源周期性地刷新。改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保留、减少电力消耗或减少制造成本以及其它度量。

PCM可为非易失性且可提供与其它存储器装置相比的改进读取/写入速度及持久性。PCM也可提供增加存储器单元密度。例如，对于PCM，三维存储器阵列可为可行的。

一些存储器类型在操作(例如读取或写入存储器单元)期间可产生热量。例如，PCM存储器单元在读取或写入操作期间可加热到高温。其它存储器类型或存储器单元操作也可产生热量。此加热可增加相邻存储器单元的温度，这可破坏阵列的所存储的数据。此加热可使阵列无法可靠存储数据或对存储器单元间隔施加约束，这可抑制未来成本节省或存储器阵列性能的增加。

发明内容

描述一种三维存储器阵列，所述三维存储器阵列设备可包含：第一层，其包括耦合到第一电极的第一存储器元件；第二层，其包括耦合到第二电极的第二存储器元件；及第三层，其包括至少两个子层的堆叠，所述第三层定位于所述第一及第二层之间，其中所述第一、第二及第三层各大体上彼此平行；及第三电极，其耦合到所述第一及第二存储器元件，其中所述第三电极大体上垂直于所述第一、第二及第三层。