[发明专利]沉淀氟氧化钇的清洁工艺有效
申请号: | 201780021736.9 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN109196620B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | C·李;J·Y·孙;Y·陈 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/56;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉淀 氧化钇 清洁 工艺 | ||
1.一种形成涂层的方法,包括:
使包含钇基氧化物的制品浸没在酸性清洁溶液中,所述酸性清洁溶液包括水、1摩尔%~10摩尔%的HF酸和钇基盐;
用所述HF酸溶解一部分的所述钇基氧化物;
基于1)所述HF酸与所述钇基氧化物的已溶解部分之间的反应以及2)所述HF酸与所述钇基盐之间的反应而形成钇基氟氧化物;以及
使所述钇基氟氧化物沉淀在所述制品上并且覆盖所述钇基氧化物以形成钇基氟氧化物涂层。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述钇基氟氧化物涂层具有10纳米至1微米的厚度。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述钇基氧化物包括Y2O3或包含Y4Al2O9和Y2O3-ZrO2固溶体的陶瓷化合物。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述钇基氟氧化物包括Y(OH)3与YF3的复合混合物。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述复合混合物进一步包括H2O。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述酸性清洁溶液进一步包括1摩尔%~20摩尔%的附加的酸,其中所述附加的酸从由HNO3、HCl和H2SO4所构成的群组中选择。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述酸性清洁溶液包括0.1摩尔%~10摩尔%的钇基盐。
8.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在将所述制品浸没在所述酸性清洁溶液中之后,使所述制品浸没在去离子水中;以及
在以低于100kHz的第一频率超声处理所述制品持续第一时间段和以高于100kHz的第二频率超声处理所述制品持续第二时间段之间交替达预定循环次数。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述预定循环次数为1~3个循环。
10.如权利要求8所述的方法,其中所述第一频率为40kHz并且所述第二频率为110kHz~200kHz,并且其中使用10瓦特/平方英寸~50瓦特/平方英寸的超声功率来超声处理所述制品。
11.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在使所述制品浸没于所述酸性清洁溶液中之前或之后,使所述制品浸没在碱性清洁溶液中,其中所述碱性清洁溶液包括水和以下各项中的至少一者:5摩尔%~10摩尔%的NH4OH或5摩尔%~10摩尔%的N(CH3)4+OH-;及
在使所述制品浸没在所述酸性清洁溶液中和使所述制品浸没在所述碱性清洁溶液中之间交替达预定循环次数。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述制品每个循环浸没在所述酸性清洁溶液中长达60秒至3分钟,并且所述制品每个循环浸没在所述碱性清洁溶液中长达30分钟~60分钟。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述钇基氧化物为Y2O3并且所述钇基氟氧化物为YOxFy,其中x为0.7~1.4并且y为0.1~0.8。
14.如权利要求1所述的方法,其中所述酸性清洁溶液进一步包括5摩尔%~10摩尔%的氯。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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