[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜(100)；工序(B)，将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨；工序(C)，对粘着性膜(100)照射紫外线之后从上述半导体晶片除去粘着性膜(100)。作为粘着性膜(100)，使用具备基材层(10)、以及设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)的粘着性膜。而且，在粘着性膜(100)中，粘着性树脂层(20)包含紫外线固化型粘着性树脂，利用特定的方法测定得到的紫外线固化后的粘着性树脂层(20)的表面的饱和带电压Vsubgt;1/subgt;为2.0kV以下。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，在将半导体晶片进行磨削的工序中，为了防止半导体晶片的损伤，在半导体晶片上粘贴有粘着性膜。

这样的粘着性膜通常使用在基材膜上层叠紫外线固化型的粘着性树脂层而成的膜。该粘着性膜通过照射紫外线，从而粘着性树脂层交联而粘着性树脂层的粘着力降低，因此能够从半导体晶片容易地剥离粘着性膜。

另一方面，在使用了这样的粘着性膜的半导体装置的制造工序中，从半导体晶片剥离粘着性膜时，有时会产生被称为剥离带电的静电。有时由这样的操作而产生的静电会破坏半导体晶片上所形成的电路(静电破坏)，或尘埃等异物会附着于半导体晶片上所形成的电路。

特别是，随着近年来的半导体晶片的高密度化、配线的窄间距化，半导体晶片具有比以往更易于受到的静电带来的影响的倾向。

鉴于这样的情况，近年来，对于半导体装置的制造工序中用于防止半导体晶片损伤的粘着性膜，也要求进一步提高抗静电性能。

作为关于这样的半导体晶片加工用粘着性膜的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2011-210944号公报)所记载的技术。

专利文献1中记载了一种抗静电性半导体加工用粘着带，其特征在于：是由基材膜和光固化型的粘着剂层构成的粘着带，其在上述基材膜的至少一面具有含有导电性高分子的抗静电层、以及在上述抗静电层上的在基础聚合物的分子内含有光固化性不饱和碳键的粘着剂层，紫外线固化前后的上述粘着剂层侧的表面电阻率为1×10⁶～5×10¹²Ω/□，粘着剂层的厚度为20～250μm，将粘着带贴合于硅镜面晶片时的粘着剂层的紫外线固化后的90度剥离粘着力(按照JIS Z 0237；剥离速度为50mm/min)为0.15～0.25N/25mm。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-210944号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如上述背景技术的项目中所述那样，近年来，对于半导体晶片加工用粘着性膜的静电对策这样的观点所要求的技术水平越来越高。

关于专利文献1所记载的那样的现有的半导体晶片加工用粘着性膜，本发明人等发现了以下那样的课题。

首先，本发明人等认识到专利文献1所记载的粘着性膜在从半导体晶片剥离粘着性膜时，半导体晶片的电路形成面易于残留粘着性膜的粘着成分，即易于发生残胶，对半导体晶片表面的耐污染性差。

进一步，根据本发明人等的研究，明确了对于专利文献1所记载的粘着性膜，如果为了抑制残胶的发生而增加紫外线的照射量以提高粘着剂层的交联度，则残胶的发生被抑制而改善对半导体晶片表面的耐污染性，然而，此时抗静电性恶化。