[发明专利]用于沉积的掩模和使用其的OLED面板

权利要求书

1.一种沉积掩模，包括金属板，

其中，所述金属板包括：有效区域，所述有效区域具有多个通孔和介于所述通孔之间的桥；以及设置在所述有效区域的外部处的非有效区域，以及

其中，每个通孔在连接部分中形成，在所述连接部分中，形成在第一表面中的第一表面孔与形成在第二表面中的第二表面孔接触，所述第二表面与所述第一表面相对，

所述第一表面孔的宽度小于所述第二表面孔的宽度，

所述第一表面孔的深度小于所述第二表面孔的深度，

其中，所述非有效区域包括位置更靠近所述金属板的纵向方向上的一端的第一半蚀刻部分和位置更靠近与所述一端相对的另一端的第二半蚀刻部分，

其中，所述第一半蚀刻部分和所述第二半蚀刻部分大于从所述第一表面至所述连接部分的深度，并且小于所述第二表面孔的深度，

其中，所述第一半蚀刻部分和所述第二半蚀刻部分在所述金属板的所述第一表面上形成，以及

在等式1中计算的k值在从0.65或更大至小于1的范围内，

等式1

其中，T表示在所述非有效区域中测量的所述沉积掩模的厚度，

H1表示在介于所述通孔之中的两个相邻通孔之间的桥具有最大厚度的点处从所述连接部分起在所述第一表面的方向上限定的厚度，以及

H2表示在介于所述两个相邻通孔之间的所述桥具有最大厚度的点处从所述连接部分起在所述第二表面的方向上限定的厚度，

其中，所述第一半蚀刻部分和所述第二半蚀刻部分中的每一个包括在所述沉积掩模的垂直方向上延伸的直线部分，以及通过连接所述直线部分的两个端部而形成的弯曲部分，

其中，所述弯曲部分具有在水平拉伸方向上突出的形状。

2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，通过等式1计算的所述k值在从0.8或更大至小于1的范围内。

3.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模的厚度在10μm至50μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模的厚度在10μm至30μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一表面孔的深度与所述沉积掩模的厚度的关系比是1：(3至30)。

6.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，将所述连接部分的一端处的预定点与所述第二表面孔的一端处的预定点连接的线的倾斜角度在20°至70°的范围内。

7.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一表面孔的宽度与所述连接部分的宽度之间的差在0.2μm至14μm的范围内。

8.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一表面孔的所述一端处的预定点与所述连接部分的所述一端处的预定点之间的垂直距离在0.1μm至7μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一表面孔在所述第一表面中的开口区域的边缘部分处具有弯曲，并且通过延伸所述边缘部分的倒圆部的弯曲而形成的虚拟圆的直径在5μm至20μm的范围内。

10.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模包括铁-镍(Fe-Ni)合金。

11.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，等式1中的H1和H2是在介于所述通孔之中的在对角线方向上彼此相邻的两个通孔之间的桥中测量的厚度。

12.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一表面孔的宽度在20μm至50μm的范围内，

所述第二表面孔的宽度在50μm至90μm的范围内，

所述第一表面孔的深度在0.1μm至7μm的范围内，以及

所述第二表面孔的深度在20μm至25μm的范围内。