[发明专利]使基材内孔道金属化的方法

权利要求书

1.一种使孔道金属化的方法，所述方法包括：

将基材设置于生长基材上，其中：

所述基材包含第一表面、第二表面和至少一个从所述第一表面向所述第二表面延伸的孔道；

所述基材的所述第一表面或所述第二表面直接接触所述生长基材的表面；且

所述生长基材的表面是导电的；

将电解质设置于所述至少一个孔道中，其中，所述电解质包含要沉积于所述至少一个孔道内的金属的金属离子；

将电极定位于所述电解质中；以及

在所述电极与所述基材之间施加电流、电压或它们的组合，从而将所述金属离子还原成所述至少一个孔道内的所述生长基材的表面上的金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

从所述基材上除去所述电解质；以及

从所述基材的所述第一表面或所述第二表面上除去所述生长基材。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括向基材和/或所述生长基材施加机械力，以保持所述基材与所述生长基材之间的直接接触。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，施加电流和/或电压时的环境温度在10摄氏度至50摄氏度之间。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述生长基材包含导电橡胶材料。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述生长基材包含导电涂层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述导电涂层包含选自以下中的一种或更多种：铟锡氧化物、涂覆有铜的铟锡氧化物、铝、涂覆有铝的铟锡氧化物、钛、涂覆有钛的铟锡氧化物、镍、涂覆有镍的铟锡氧化物以及涂覆有铌的铟锡氧化物。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述生长基材包含金属或金属合金。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述基材包含玻璃。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述玻璃是经过化学强化的，以使所述基材具有都处于压缩应力之下的第一压缩应力层和第二压缩应力层、以及设置于所述第一压缩应力层与所述第二压缩应力层之间且处于拉伸应力之下的中心张力层。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述金属是铜。

12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述电解质包含硫酸铜。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由所述电流提供的电流密度在约0.001mA/cm²至约1A/cm²的范围内。

14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述电压在约0.001V至约-20V的范围内。